单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET® Gen IVTrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）13A（Ta），30A（Tc）14A（Ta），44A（Tc）19A（Ta），40A（Tc）39A（Tc）45.5A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 25A，10V6.7 毫欧 @ 10A，10V6.83 毫欧 @ 10A，10V8 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 20A，10V13.6 毫欧 @ 10A，10V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.95V @ 1mA2.35V @ 25µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V12.5 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V19 nC @ 10 V24 nC @ 10 V49.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V519 pF @ 15 V680 pF @ 15 V985 pF @ 15 V1180 pF @ 10 V1380 pF @ 15 V3583 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
380mW（Ta）2.3W（Ta），31W（Tc）3.2W（Ta），30W（Tc）3.8W（Ta），17W（Tc）25W（Tc）38W（Tc）167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-DFN（5x6）LFPAK33LFPAK56，Power-SO8PowerPAK® SO-8PQFN（5x6）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
9,387
现货
1 : ¥10.92000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.79524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
49.4 nC @ 10 V
±20V
3583 pF @ 25 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
SOT-23-3
DMN62D0U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
66,404
现货
30,000
工厂
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.33100
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON6414A
MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
28,916
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.04675
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
PowerPAK SO-8
SIRA18BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Vishay Siliconix
15,074
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30500
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
6.83 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
+20V，-16V
680 pF @ 15 V
-
3.8W（Ta），17W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIRA88DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,927
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30500
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
45.5A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
12.5 nC @ 4.5 V
+20V，-16V
985 pF @ 15 V
-
25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK33
PSMN013-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,781
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
1,500 : ¥1.25073
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
39A（Tc）
4.5V，10V
13.6 毫欧 @ 10A，10V
1.95V @ 1mA
8 nC @ 10 V
±20V
519 pF @ 15 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
8-Power TDFN
IRFH8334TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Infineon Technologies
10,850
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.38541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 25µA
15 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 10 V
-
3.2W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。