50A（Ta）单 FET，MOSFET

显示

/ 41

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

CSD19537Q3 MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON Texas Instruments	4,934 现货	1 : ¥9.85000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.07443 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	50A（Ta）	6V，10V	14.5 毫欧 @ 10A，10V	3.6V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1680 pF @ 50 V	-	2.8W（Ta），83W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSON-CLIP（3.3x3.3）	8-PowerTDFN
TJ50S06M3L,LXHQ MOSFET P-CH 60V 50A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	4,502 现货	1 : ¥11.17000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.63452 卷带（TR）	U-MOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	50A（Ta）	6V，10V	13.8 毫欧 @ 25A，10V	3V @ 1mA	124 nC @ 10 V	+10V，-20V	6290 pF @ 10 V	-	90W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
CSD19537Q3T MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Texas Instruments	2,235 现货	1 : ¥12.64000 剪切带（CT） 250 : ¥7.96812 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	50A（Ta）	6V，10V	14.5 毫欧 @ 10A，10V	3.6V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1680 pF @ 50 V	-	2.8W（Ta），83W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSON-CLIP（3.3x3.3）	8-PowerTDFN
CSD18534Q5AT MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON Texas Instruments	3,183 现货	1 : ¥13.30000 剪切带（CT） 250 : ¥8.55460 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	50A（Ta）	4.5V，10V	9.8 毫欧 @ 14A，10V	2.3V @ 250µA	11.1 nC @ 4.5 V	±20V	1770 pF @ 30 V	-	3.1W（Ta），77W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（5x6）	8-PowerTDFN
TJ50S06M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 60V 50A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	5,779 现货	1 : ¥14.86000 剪切带（CT） 2,000 : ¥6.70930 卷带（TR）	U-MOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	50A（Ta）	6V，10V	13.8 毫欧 @ 25A，10V	3V @ 1mA	124 nC @ 10 V	+10V，-20V	6290 pF @ 10 V	-	90W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
CSD18504Q5AT MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Texas Instruments	5,124 现货	1 : ¥9.28000 剪切带（CT） 250 : ¥5.99152 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	50A（Ta）	4.5V，10V	6.6 毫欧 @ 17A，10V	2.4V @ 250µA	9.2 nC @ 4.5 V	±20V	1656 pF @ 20 V	-	3.1W（Ta），77W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（5x6）	8-PowerTDFN
RJK0456DPB-00#J5 MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK Renesas Electronics Corporation	2,500 现货	2,500 : ¥10.58710 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	50A（Ta）	10V	3.2 毫欧 @ 25A，10V	-	39 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 10 V	-	65W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK	SC-100，SOT-669
RJK0391DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	6,000 现货	3,000 : ¥7.38891 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	4.5V，10V	2.9 毫欧 @ 25A，10V	2.5V @ 1mA	34 nC @ 4.5 V	±20V	5600 pF @ 10 V	-	50W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK（3）	8-PowerWDFN
RJK03M1DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	8,836 现货	1 : ¥18.47000 剪切带（CT） 3,000 : ¥8.32630 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	4.5V，10V	2.3 毫欧 @ 25A，10V	-	25 nC @ 4.5 V	±20V	4720 pF @ 10 V	-	45W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	WPAK（3F）（5x6）	8-PowerVDFN
NP50P04SLG-E1-AY MP-3ZK Renesas Electronics Corporation	3,960 现货	1 : ¥19.95000 剪切带（CT） 2,500 : ¥8.99903 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	50A（Ta）	4.5V，10V	9.6 毫欧 @ 25A，10V	2.5V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	5700 pF @ 10 V	-	1.2W（Ta），84W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	TO-252（MP-3ZK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RJK1003DPP-A0#T2 MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA Renesas Electronics Corporation	0 现货查看交期	25 : ¥20.19960 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	50A（Ta）	10V	11 毫欧 @ 25A，10V	4V @ 1mA	59 nC @ 10 V	±20V	4150 pF @ 10 V	-	25W（Ta）	150°C	-	-	通孔	TO-220ABA	TO-220-3
BUK6209-30C,118 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK NXP USA Inc.	9,725 市场	不可用对您所选的货币不可用	TrenchMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	-	9.8 毫欧 @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	30.5 nC @ 10 V	±16V	1760 pF @ 25 V	-	80W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FDD8445-F085P MOSFET N-CH 40V 50A TO252 onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	50A（Ta）	10V	8.7 毫欧 @ 50A，10V	4V @ 250µA	59 nC @ 10 V	±20V	4050 pF @ 25 V	-	79W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FDB7042L N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	93,855 市场	不可用对您所选的货币不可用	PowerTrench®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	4.5V，10V	7.5 毫欧 @ 25A，10V	2V @ 250mA	51 nC @ 4.5 V	±12V	2418 pF @ 15 V	-	83W（Ta）	-65°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263AB	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDP7042L N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	33,223 市场	不可用对您所选的货币不可用	PowerTrench®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	4.5V，10V	7.5 毫欧 @ 25A，10V	2V @ 250mA	51 nC @ 4.5 V	±12V	2418 pF @ 15 V	-	83W（Ta）	-65°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
RJK0236DPA-00#J5A MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN Renesas Electronics Corporation	12,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	50A（Ta）	-	1.8 毫欧 @ 25A，10V	-	31 nC @ 4.5 V	-	6130 pF @ 10 V	-	50W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-DFN（5x6）	8-WFDFN 裸露焊盘
RJK0204DPA-00#J53 MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	3,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	50A（Ta）	-	2.7 毫欧 @ 25A，10V	2.5V @ 1mA	22 nC @ 4.5 V	-	4240 pF @ 10 V	-	-	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-PowerWDFN
RJK0379DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	3,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	-	2.3 毫欧 @ 25A，10V	-	37 nC @ 4.5 V	-	5150 pF @ 10 V	-	55W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-WFDFN 裸露焊盘
RJK0348DPA-00#J0 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Renesas Electronics Corporation	635,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	-	2.5 毫欧 @ 25A，10V	-	34 nC @ 4.5 V	-	5100 pF @ 10 V	-	55W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-PowerWDFN
BUK6209-30C,118 NEXPERIA BUK6209-30C - 50A, 30V, Nexperia USA Inc.	12,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	TrenchMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	-	9.8 毫欧 @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	30.5 nC @ 10 V	±16V	1760 pF @ 25 V	-	80W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BUK6212-40C,118 NEXPERIA BUK6212-40C - 50A, 40V, Nexperia USA Inc.	54,438 市场	不可用对您所选的货币不可用	TrenchMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	50A（Ta）	-	11.2 毫欧 @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	33.9 nC @ 10 V	±16V	1900 pF @ 25 V	-	80W	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BUK6212-40C,118 NEXPERIA BUK6212-40C - 50A, 40V, NXP Semiconductors	5,239 市场	不可用对您所选的货币不可用	TrenchMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	50A（Ta）	-	11.2 毫欧 @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	33.9 nC @ 10 V	±16V	1900 pF @ 25 V	-	80W	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RJK1003DPP-E0#T2 RJK1003DPP - N-CHANNEL MOSFET 10 Renesas	3,408 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	50A（Ta）	10V	11 毫欧 @ 25A，10V	4V @ 1mA	59 nC @ 10 V	±20V	4150 pF @ 10 V	-	25W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包
2SK2498-AZ 2SK2498 - SWITCHING N-CHANNEL PO Renesas	414 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	50A（Ta）	4V，10V	9 毫欧 @ 25A，10V	2V @ 1mA	152 nC @ 10 V	±20V	3400 pF @ 10 V	-	2W（Ta），35W（Tc）	150°C	-	-	通孔	ITO-220AB	TO-220-3 全封装，隔离接片
HAT2099H-EL-E MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK Renesas Electronics Corporation	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Ta）	4.5V，10V	3.7 毫欧 @ 25A，10V	-	75 nC @ 10 V	±20V	4750 pF @ 10 V	-	30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK	SC-100，SOT-669