49A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 68
制造商
Diotec SemiconductorFairchild SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-C3M™CoolSiC™ Gen 2FDmesh™ IIHEXFET®HiPerFET™, Q3 ClassMDmesh™ M2OptiMOS™POWER MOS 8™POWER MOS V®QFET®STripFET™ H6TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V22 V30 V40 V55 V60 V65 V75 V80 V100 V600 V650 V700 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V10V,12V12V15V15V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 24.5A,10V6.1 毫欧 @ 20A,10V8.9 毫欧 @ 25A,10V9.5 毫欧 @ 20A,10V11 毫欧 @ 15A,10V11.7 毫欧 @ 25A,10V12 毫欧 @ 26A,10V15 毫欧 @ 25A,10V16 毫欧 @ 24.5A,10V17.5 毫欧 @ 25A,10V18 毫欧 @ 20A,10V21.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.4V @ 200µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.55V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 4.84mA3.8V @ 22µA4V @ 1mA4V @ 2.5mA4V @ 250µA4V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.7 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V16 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V28 nC @ 18 V30 nC @ 10 V30.6 nC @ 10 V31 nC @ 10 V35 nC @ 10 V35.8 nC @ 5 V38 nC @ 10 V47 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V+19V,-8V±20V+23V,-7V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
810 pF @ 10 V997 pF @ 400 V1060 pF @ 25 V1300 pF @ 10 V1300 pF @ 25 V1300 pF @ 40 V1470 pF @ 25 V1621 pF @ 400 V1621 pF @ 600 V1630 pF @ 25 V1691 pF @ 30 V1800 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),50W(Tc)3.8W(Ta),94W(Tc)6.5W(Ta),39.5W(Tc)25W(Tc)40W(Tc)44W(Tc)58W(Tc)60W(Tc)81W(Tc)86W(Tc)94W(Tc)105W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOF8-QFN(3x3)8-SOP Advance(5x5)D2PAKDPAKISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8-7PG-TO263-7-12SOT-227SOT-227BT-MAX™ [B2]
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
68结果
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/ 68
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
22,684
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
5,433
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.64488
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
49A(Tc)
6V,10V
11.7 毫欧 @ 25A,10V
3.8V @ 22µA
18 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Infineon Technologies
20,113
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
800 : ¥4.82049
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y22-100E,115
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
6,186
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.46581
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
49A(Tc)
5V
21.5 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
35.8 nC @ 5 V
±10V
4640 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
DPAK
NVD5C668NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
onsemi
1,548
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.05367
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
49A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 25A,10V
2.1V @ 250µA
8.7 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
C3M0045065L
C3M0045065L-TR
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Wolfspeed, Inc.
1,792
现货
1 : ¥140.39000
剪切带(CT)
2,000 : ¥82.71378
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
49A(Tc)
15V
60 毫欧 @ 17.6A,15V
3.6V @ 4.84mA
59 nC @ 15 V
+19V,-8V
1621 pF @ 400 V
-
164W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
C3M0065100K
C3M0045065K
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
461
现货
1 : ¥161.57000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
49A(Tc)
15V
60 毫欧 @ 17.6A,15V
3.6V @ 4.84mA
63 nC @ 15 V
+19V,-8V
1621 pF @ 600 V
-
176W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0045065D
GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
459
现货
1 : ¥161.57000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
49A(Tc)
15V
60 毫欧 @ 17.6A,15V
3.6V @ 4.84mA
63 nC @ 15 V
+19V,-8V
1621 pF @ 600 V
-
176W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN021-100YLX
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,090
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.82068
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
49A(Tc)
5V,10V
21.5 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
65.6 nC @ 10 V
±20V
4640 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y18-75B,115
MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,038
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.73180
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
49A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
35 nC @ 10 V
±20V
2173 pF @ 25 V
-
105W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
8-HPSOF Top View
NTBL050N65S3H
MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
onsemi
1,804
现货
1 : ¥56.40000
剪切带(CT)
2,000 : ¥41.72120
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
49A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 24.5A,10V
4V @ 4.8mA
98 nC @ 10 V
±30V
4880 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-247-3 HiP
STW56N65M2
MOSFET N-CH 650V 49A TO247
STMicroelectronics
114
现货
1 : ¥69.45000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
49A(Tc)
10V
62 毫欧 @ 24.5A,10V
4V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±25V
3900 pF @ 100 V
-
358W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
2,323
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.06271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
49A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 24.5A,10V
2.4V @ 200µA
30 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 20 V
-
81W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
R6022YNZ4C13
R6049YNZ4C13
NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Rohm Semiconductor
596
现货
1 : ¥51.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
49A(Tc)
10V,12V
82 毫欧 @ 11A,12V
6V @ 2.9mA
65 nC @ 10 V
±30V
2940 pF @ 100 V
-
448W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247G
TO-247-3
R6014YNX3C16
R6049YNX3C16
NCH 600V 49A, TO-220AB, POWER MO
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥52.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
49A(Tc)
10V,12V
82 毫欧 @ 11A,12V
6V @ 2.9mA
65 nC @ 10 V
±30V
2940 pF @ 100 V
-
448W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
482
现货
1 : ¥84.23000
剪切带(CT)
1,000 : ¥47.79535
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
49A(Tc)
15V,20V
49 毫欧 @ 22.9A,18V
5.6V @ 4.6mA
28 nC @ 18 V
+23V,-7V
997 pF @ 400 V
-
197W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
IRG4RC10UTRPBF
HUFA75329S3ST
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Fairchild Semiconductor
5,196
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 49A,10V
4V @ 250µA
75 nC @ 20 V
±20V
1060 pF @ 25 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
HRFZ44N
MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Fairchild Semiconductor
12,886
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
75 nC @ 20 V
±20V
1060 pF @ 25 V
-
120W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
SGP15N60XKSA1
HUF75329P3
MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Harris Corporation
3,077
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 49A,10V
4V @ 250µA
75 nC @ 20 V
±20V
1060 pF @ 25 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
MJD32CTF-ON
AUIRFZ44NS
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
International Rectifier
9,362
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
-
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-220AB
TO-220-3
MJD32CTF-ON
AUIRFZ44NSTRL
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
International Rectifier
12,182
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
-
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
-
1470 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
AUIRFZ44NSTRL
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Infineon Technologies
800
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
-
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
-
1470 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
BUK7626-100B,118
BUK7626-100B,118
MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
Nexperia USA Inc.
127
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
49A(Tc)
10V
26 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
38 nC @ 10 V
±20V
2891 pF @ 25 V
-
157W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
2,700
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 49A,10V
4V @ 250µA
75 nC @ 20 V
±20V
1060 pF @ 25 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-264 PKG
APT48M80L
MOSFET N-CH 800V 49A TO264
Microchip Technology
51
现货
1 : ¥173.80000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
49A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 24A,10V
5V @ 2.5mA
305 nC @ 10 V
±30V
9330 pF @ 25 V
-
1135W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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通孔
TO-264 [L]
TO-264-3,TO-264AA
显示
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49A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。