单 FET,MOSFET

结果 : 81
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
500 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A(Tc)4A(Tc)5A(Tc)5.5A(Tc)6.5A(Tc)7.5A(Tc)8A(Tc)9A(Tc)10A(Tc)11A(Tc)12A(Tc)13A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧 @ 34A,10V46 毫欧 @ 31.5A,10V55 毫欧 @ 26A,10V62 毫欧 @ 24.5A,10V70 毫欧 @ 21A,10V87 毫欧 @ 17A,10V88 毫欧 @ 17A,10V99 毫欧 @ 16A,10V110 毫欧 @ 14A,10V140 毫欧 @ 12A,10V150 毫欧 @ 11A,10V165 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA4.75V @ 250µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 10 V6.2 nC @ 10 V9 nC @ 10 V10 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V17 nC @ 10 V19 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
155 pF @ 100 V220 pF @ 100 V270 pF @ 100 V315 pF @ 100 V325 pF @ 100 V530 pF @ 100 V535 pF @ 100 V538 pF @ 100 V550 pF @ 100 V580 pF @ 100 V590 pF @ 100 V700 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
6W(Tc)20W(Tc)22W(Tc)25W(Tc)30W(Tc)34W(Tc)40W(Tc)48W(Tc)52W(Tc)56W(Tc)57W(Tc)60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKDPAKI2PAKI2PAKFP(TO-281)PowerFlat™(3.3x3.3)PowerFlat™(5x6)HVPowerFlat™(8x8)HVSOT-223-2TO-220TO-220FPTO-247 长引线TO-247-3TO-247-4TO-251(IPAK)
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-3TO-262-3 全封装,I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
81结果
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/ 81
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2Pak
STB33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
STMicroelectronics
305
现货
1 : ¥32.59000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.85695
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
140 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
41.5 nC @ 10 V
±25V
1790 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STMicroelectronics
6,407
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.02526
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.5A(Tc)
10V
1.25 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±25V
220 pF @ 100 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-2
TO-261-3
8PowerVDFN
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,559
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.24285
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
2.3A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±25V
155 pF @ 100 V
-
22W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
STMicroelectronics
3,219
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.00841
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
10A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
STD15N50M2AG
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
STMicroelectronics
6,896
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.79230
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
10A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
530 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
STMicroelectronics
2,400
现货
1 : ¥16.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.63262
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±25V
718 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8 PowerVDFN
STL16N60M2
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
2,447
现货
1 : ¥19.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.75091
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8A(Tc)
10V
355 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
704 pF @ 100 V
-
52W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
TO-247-3 HiP
STW40N65M2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
STMicroelectronics
107
现货
1 : ¥46.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
32A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
56.5 nC @ 10 V
±25V
2355 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
STW48N60M2-4
MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
STMicroelectronics
229
现货
1 : ¥64.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
42A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 21A,10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
3060 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-220-F
STF16N60M2
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
STMicroelectronics
162
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
700 pF @ 100 V
-
25W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
MFG_DPAK(TO252-3)
STD12N65M2
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
STMicroelectronics
1,763
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.38080
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±25V
535 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD13N65M2
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
1,765
现货
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.93922
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
10A(Tc)
10V
430 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16N60M2
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
STMicroelectronics
4,990
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.92021
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
700 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8PowerVDFN
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,525
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.18624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7.5A(Tc)
10V
395 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±25V
718 pF @ 100 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
TO-220-3
STP18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
STMicroelectronics
1,005
现货
1 : ¥21.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tc)
10V
330 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±25V
770 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
8PowerVDFN
STL18N65M2
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
2,955
现货
1 : ¥21.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.63095
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8A(Tc)
10V
365 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±25V
764 pF @ 100 V
-
57W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
TO-220-3
STP28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
STMicroelectronics
948
现货
1 : ¥23.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STMicroelectronics
1,959
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW26N60M2
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
STMicroelectronics
388
现货
1 : ¥24.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1360 pF @ 100 V
-
169W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
D2Pak
STB28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
STMicroelectronics
4,928
现货
1 : ¥28.41000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.66682
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
STMicroelectronics
608
现货
1 : ¥31.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
140 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
41.5 nC @ 10 V
±25V
1790 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
STMicroelectronics
287
现货
1 : ¥32.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW56N65M2
MOSFET N-CH 650V 49A TO247
STMicroelectronics
114
现货
1 : ¥69.45000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
49A(Tc)
10V
62 毫欧 @ 24.5A,10V
4V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±25V
3900 pF @ 100 V
-
358W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW56N60M2
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
STMicroelectronics
594
现货
1 : ¥74.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
52A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3750 pF @ 100 V
-
350W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-F
STF18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STMicroelectronics
3,706
现货
1 : ¥14.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tc)
10V
330 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±25V
770 pF @ 100 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
显示
/ 81

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。