1A（Tj）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SI01P10-TP MOSFET P-CH 100V 1A SOT23 Micro Commercial Co	43,256 现货	1 : ¥3.37000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.90097 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	1A（Tj）	-	800 毫欧 @ 1A，10V	3V @ 250µA	3.2 nC @ 10 V	±20V	388 pF @ 40 V	-	770mW	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SSS1N60B N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	3,684 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	1A（Tj）	10V	12 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 250µA	7.7 nC @ 10 V	±30V	215 pF @ 25 V	-	17W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220F	TO-220-3 整包
1N60G SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS UMW	2,420 现货	1 : ¥4.42000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.56776 卷带（TR）	UMW	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	1A（Tj）	10V	11 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 250µA	4.8 nC @ 10 V	±30V	150 pF @ 25 V	-	-	150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA
1N60L TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET UMW	2,469 现货	1 : ¥4.68000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.82031 卷带（TR）	UMW	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	1A（Tj）	10V	11 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 250µA	4.8 nC @ 10 V	±30V	150 pF @ 25 V	-	-	150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1N65L TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET UMW	2,368 现货	1 : ¥4.68000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.80590 卷带（TR）	UMW	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	1A（Tj）	10V	11 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 250µA	4.8 nC @ 10 V	±30V	150 pF @ 25 V	-	-	150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1N65G SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET UMW	2,470 现货	1 : ¥5.09000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.79933 卷带（TR）	UMW	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	1A（Tj）	10V	11 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 250µA	4.8 nC @ 10 V	±30V	150 pF @ 25 V	-	-	150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA
IXTH1N170DHV MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV Littelfuse Inc.	9 现货	1 : ¥158.04000 管件	Depletion	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1700 V	1A（Tj）	0V	16 欧姆 @ 500mA，0V	4.5V @ 250µA	47 nC @ 5 V	±20V	3090 pF @ 25 V	耗尽模式	290W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247HV	TO-247-3 变式
IPC022N03L3X1SA1 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货	64,365 : ¥2.26591 散装	OptiMOS™	散装	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	1A（Tj）	10V	50 毫欧 @ 2A，10V	2.2V @ 250µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC045N10N3X1SA1 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货	31,190 : ¥3.64926 散装	OptiMOS™	散装	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	3.5V @ 33µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC055N03L3X1SA1 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	25,450 : ¥4.61699 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	1A（Tj）	4.5V，10V	50 毫欧 @ 2A，10V	2.2V @ 250µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC173N10N3X1SA1 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	7,910 : ¥13.58210 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	3.5V @ 150µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N08N3X1SA1 MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,425 : ¥23.60837 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	3.5V @ 270µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302NE7N3X1SA1 MOSFET N-CH 75V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货	4,425 : ¥23.91001 散装	OptiMOS™	散装	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	3.8V @ 270µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N10N3X1SA1 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,425 : ¥24.18384 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	3.5V @ 302µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC26N12NX1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	5,145 : ¥26.09178 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	120 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 244µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N15N3X1SA1 MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,425 : ¥26.88816 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 270µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC300N15N3RX1SA2 MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,435 : ¥27.13780 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 250µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N12N3X1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,425 : ¥28.88951 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	120 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 275µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N20N3X1SA1 MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,425 : ¥32.89011 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 260µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N25N3X1SA1 MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货	4,425 : ¥34.83798 散装	OptiMOS™	散装	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 270µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N20NFDX1SA1 MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,425 : ¥35.52502 散装	OptiMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 270µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
IPC302N25N3AX1SA1 MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies	0 现货	4,425 : ¥36.67044 散装	OptiMOS™	散装	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	1A（Tj）	10V	100 毫欧 @ 2A，10V	4V @ 270µA	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	带箔切割晶片	模具
PMZ290UNYL MOSFET DFN1006-3 Nexperia USA Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	-	-	-	1A（Tj）	1.8V，4.5V	-	-	-	±8V	-	-	-	-	表面贴装型	SOT-883	SC-101，SOT-883
2SK2962(T6CANO,A,F MOSFET N-CH TO92MOD Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	-	散装	停产	-	-	-	1A（Tj）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	通孔	TO-92MOD	TO-226-3，TO-92-3 长体
2SK2962(T6CANO,F,M MOSFET N-CH TO92MOD Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	-	散装	停产	-	-	-	1A（Tj）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	通孔	TO-92MOD	TO-226-3，TO-92-3 长体