11.5A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FQB12P20TM MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK onsemi	200 现货	1 : ¥16.09000 剪切带（CT） 800 : ¥9.00390 卷带（TR）	QFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	11.5A（Tc）	10V	470 毫欧 @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1200 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），120W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
GAN190-650FBEZ 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc.	1,895 现货	1 : ¥34.15000 剪切带（CT） 2,500 : ¥10.98061 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	11.5A（Tc）	6V	190 毫欧 @ 3.9A，6V	2.5V @ 12.2mA	2.8 nC @ 6 V	+7V，-1.4V	96 pF @ 400 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装，可润湿侧翼	DFN5060-5	8-PowerVDFN
GAN190-650EBEZ 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc.	2,234 现货	1 : ¥37.93000 剪切带（CT） 2,500 : ¥11.69897 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	11.5A（Tc）	6V	190 毫欧 @ 3.9A，6V	2.5V @ 12.2mA	2.8 nC @ 6 V	+7V，-1.4V	96 pF @ 400 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装，可润湿侧翼	DFN8080-8	8-VDFN 裸露焊盘
C3M0280090D SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	8,308 现货	1 : ¥43.27000 管件	C3M™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	900 V	11.5A（Tc）	15V	360 毫欧 @ 7.5A，15V	3.5V @ 1.2mA	9.5 nC @ 15 V	+18V，-8V	150 pF @ 600 V	-	54W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
TK290P60Y,RQ MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,980 现货	1 : ¥19.70000 剪切带（CT） 2,000 : ¥5.91340 卷带（TR）	DTMOSV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	11.5A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK290P65Y,RQ MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,994 现货	1 : ¥21.51000 剪切带（CT） 2,000 : ¥6.58427 卷带（TR）	DTMOSV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	11.5A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SQD10950E_GE3 MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA Vishay Siliconix	3,945 现货	1 : ¥11.41000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.73337 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	11.5A（Tc）	7.5V，10V	162 毫欧 @ 12A，10V	3.5V @ 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	785 pF @ 25 V	-	62W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
CDF56G6511N TR13 PBFREE 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN Central Semiconductor Corp	2,361 现货	1 : ¥38.42000 剪切带（CT） 2,500 : ¥18.71898 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	11.5A（Tc）	6V	190 毫欧 @ 3.9A，6V	2.5V @ 12.2mA	2.8 nC @ 6 V	+7V，-1.4V	96 pF @ 400 V	-	1.1W（Ta），84W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装，可润湿侧翼	8-DFN（5x6）	8-PowerVDFN
FDPF12N50NZ MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F onsemi	1,089 现货	1 : ¥15.84000 管件	UniFET-II™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	1235 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
SSFU6511 MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.5A, 650 Good-Ark Semiconductor	985 现货	1 : ¥19.13000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	11.5A（Tc）	10V	360 毫欧 @ 7A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±30V	870 pF @ 50 V	-	32.6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F	TO-220-3 整包
IRFS350A MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF Fairchild Semiconductor	188 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	11.5A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.75A，10V	4V @ 250µA	131 nC @ 10 V	±30V	2780 pF @ 25 V	-	92W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3PF	TO-3P-3 整包
FDPF12N50T MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F onsemi	931 现货	1 : ¥21.59000 管件	UniFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Tc）	10V	650 毫欧 @ 6A，10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1315 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
E3M0280090D SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	508 现货	1 : ¥59.03000 管件	E-Series	管件	停产	N 通道	SiCFET（碳化硅）	900 V	11.5A（Tc）	15V	364 毫欧 @ 7.5A，15V	3.5V @ 1.2mA	9.5 nC @ 15 V	+18V，-8V	150 pF @ 600 V	-	54W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247-3	TO-247-3
FDPF12N50FT POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	24,145 市场	不可用对您所选的货币不可用	UniFET™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Tc）	10V	700 毫欧 @ 6A，10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1395 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
BUK9M120-100EX MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	462 现货	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 1,500 : ¥2.16011 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	11.5A（Tc）	5V	119 毫欧 @ 5A，10V	2.05V @ 1mA	8.8 nC @ 5 V	±10V	882 pF @ 25 V	-	44W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LFPAK33	SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
TK290A65Y,S4X MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	80 现货	1 : ¥21.59000 管件	DTMOSV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	11.5A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
FDB12N50FTM-WS MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK onsemi	39 现货	1 : ¥15.60000 剪切带（CT）	UniFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Tc）	10V	700 毫欧 @ 6A，10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1395 pF @ 25 V	-	165W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDPF12N50NZ POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	1,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	UniFET-II™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	1235 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
TK290A60Y,S4X MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	50 : ¥9.79260 管件	DTMOSV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	11.5A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
FDB12N50TM MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK onsemi	1 现货 16,000 工厂	1 : ¥18.31000 剪切带（CT） 800 : ¥10.26123 卷带（TR）	UniFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Tc）	10V	650 毫欧 @ 6A，10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1315 pF @ 25 V	-	165W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
AOTF12N30 MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货查看交期	1,000 : ¥3.89555 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	11.5A（Tc）	10V	420 毫欧 @ 6A，10V	4.5V @ 250µA	16 nC @ 10 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	36W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F	TO-220-3 整包
AOT12N30L MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货	1,000 : ¥4.35243 管件	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	11.5A（Tc）	10V	420 毫欧 @ 6A，10V	4.5V @ 250µA	16 nC @ 10 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	132W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
AOI468 MOSFET N CH 300V 11.5A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货查看交期	3,500 : ¥5.29704 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	11.5A（Tc）	10V	420 毫欧 @ 6A，10V	4.5V @ 250µA	16 nC @ 10 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-50°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-251A	TO-251-3 短引线，IPAK
IRF7420TR MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Infineon Technologies	0 现货	4,000 : ¥7.08012 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	11.5A（Tc）	1.8V，4.5V	14 毫欧 @ 11.5A，4.5V	900mV @ 250µA	38 nC @ 4.5 V	±8V	3529 pF @ 10 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7420TRPBF MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	11.5A（Tc）	1.8V，4.5V	14 毫欧 @ 11.5A，4.5V	900mV @ 250µA	38 nC @ 4.5 V	±8V	3529 pF @ 10 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）