FET、MOSFET 阵列

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 N 沟道2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)160mA210mA(Ta)230mA300mA320mA340mA(Ta)360mA(Ta)500mA725mA,500mA46A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11.6 毫欧 @ 10A,10V380 毫欧 @ 500mA,4.5V750毫欧 @ 300mA,10V1.5 欧姆 @ 100mA,10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V3.5 欧姆 @ 200mA,10V4 欧姆 @ 10mA,4V5 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35nC @ 5V0.6nC @ 4.5V0.68nC @ 4.5V0.7nC @ 10V0.8nC @ 4.5V1nC @ 4.5V1.28nC @ 10V34nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8.5pF @ 3V20pF @ 30V28pF @ 15V36pF @ 25V40pF @ 10V50pF @ 10V50pF @ 25V83pF @ 10V1110pF @ 15V,2360pF @ 15V
功率 - 最大值
150mW150mW(Ta)200mW(Ta)236mW(Ta)280mW285mW310mW320mW420mW445mW1.9W,2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
资质
AEC-Q100AEC-Q101
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-PowerWDFNSOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSSOP8-Power33(3x3)SOT-363SOT-563US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
419,851
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33908
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
133,879
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49038
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
334,005
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59795
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
NX138BKSX
MOSFET 2N-CH 60V 0.21A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18,726
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49506
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
210mA(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.5V @ 250µA
0.7nC @ 10V
20pF @ 30V
320mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
PMGD290UCEAX
MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
10,064
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80973
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
725mA,500mA
380 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.3V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
83pF @ 10V
280mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
53,080
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58301
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
50V
160mA
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35nC @ 5V
36pF @ 25V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT 563
UM6X1NA-TP
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT563
Micro Commercial Co
2,900
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41598
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
500mA
750毫欧 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
1.28nC @ 10V
28pF @ 15V
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
14,321
现货
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38541
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
100mA(Ta)
4 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
8.5pF @ 3V
200mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
fdmc8200(top)
FDMC007N30D
MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
onsemi
5,396
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.16113
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
46A
11.6 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
34nC @ 10V
1110pF @ 15V,2360pF @ 15V
1.9W,2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PowerWDFN
8-Power33(3x3)
MMDT3904
GSF7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Good-Ark Semiconductor
4,831
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34327
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
60V
340mA(Ta)
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
-
40pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PJT138K_R1_00001
50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
10,629
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39581
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
50V
360mA(Ta)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
1.5V @ 250µA
1nC @ 4.5V
50pF @ 25V
236mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。