FET、MOSFET 阵列

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)160mA170mA180mA(Ta)200mA250mA(Ta)300mA320mA320mA(Ta)2A2.9A3.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
70 毫欧 @ 5.3A,10V111 毫欧 @ 2.5A,10V150 毫欧 @ 2A,4.5V1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,10V1.6 欧姆 @ 320mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V4 欧姆 @ 150mA,10V4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V6 欧姆 @ 300mA,10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V8 欧姆 @ 100mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35nC @ 5V0.53nC @ 10V0.6nC @ 4.5V0.7nC @ 4.5V0.75nC @ 4.5V0.8nC @ 4.5V1.6nC @ 10V8nC @ 10V11nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
25.2pF @ 25V30pF @ 25V32pF @ 30V36pF @ 25V40pF @ 10V42pF @ 10V45pF @ 25V46pF @ 15V50pF @ 10V56pF @ 10V210pF @ 15V320pF @ 16V563pF @ 25V
功率 - 最大值
150mW(Ta)285mW300mW(Ta)420mW445mW450mW500mW600mW1.1W1.4W
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSOP6-TSSOP8-SOES6SOT-26SOT-363SOT-666US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
419,851
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33909
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241,855
现货
415,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
20,679
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52422
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
Pkg 5540
SI3993CDV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
47,149
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
2.9A
111 毫欧 @ 2.5A,10V
2.2V @ 250µA
8nC @ 10V
210pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
SOT 26
DMP2240UDM-7
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT26
Diodes Incorporated
189,493
现货
75,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96980
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
2A
150 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
-
320pF @ 16V
600mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
7,176
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.57142
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
20V
250mA(Ta)
1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
-
42pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
415,195
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47923
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 320mA,10V
1.6V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
56pF @ 10V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
275,180
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68500
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
200mA
4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.75nC @ 4.5V
46pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT666
BSS84AKV,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Nexperia USA Inc.
38,150
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.67411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
50V
170mA
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35nC @ 5V
36pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-666
SOT 363
BSS84DW-TP
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT363
Micro Commercial Co
8,990
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74211
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
50V
160mA
8 欧姆 @ 100mA,10V
2V @ 250µA
-
30pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
BSS84KDW-TP
MOSFET 2P-CH 60V 0.32A SOT363
Micro Commercial Co
1,532
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51984
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
60V
320mA(Ta)
6 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 250µA
1.6nC @ 10V
32pF @ 30V
420mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
BSS84DWQ-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
2,995
现货
3,261,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69783
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
50V
130mA(Ta)
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
GSFK0300
GSFK0501E
MOSFET 2P-CH 50V 0.18A SOT363
Good-Ark Semiconductor
5,920
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63018
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道
-
50V
180mA(Ta)
4 欧姆 @ 150mA,10V
3V @ 250µA
0.53nC @ 10V
25.2pF @ 25V
300mW(Ta)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。