TO-261-4,TO-261AA 单 FET,MOSFET

结果 : 666
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedEVVOFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierLittelfuse Inc.MaxLinear, Inc.
系列
-*CoolMOS™CoolMOS™ CECoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7CoolMOS™PFD7DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®MESH OVERLAY™OptiMOS®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V35 V40 V52 V55 V59 V60 V70 V75 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5mA(Ta)75mA(Ta)100mA120mA(Ta)140mA(Ta)170mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)200mA(Tc)210mA(Ta)225mA(Ta)230mA(Ta),550mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V0.35V1.8V,4.5V2.4V,10V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V3V,10V3V,5V3.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.3 毫欧 @ 140A,10V11.3 毫欧 @ 1A,4.5V14.3 毫欧 @ 3A,4.5V15 毫欧 @ 11.5A,10V21 毫欧 @ 7.4A,10V25 毫欧 @ 5.4A,4.5V28 毫欧 @ 5A,10V28 毫欧 @ 6.6A,10V28 毫欧 @ 8A,10V29 毫欧 @ 3.2A,10V29 毫欧 @ 6A,10V29 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 108µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1V @ 380µA1V @ 400µA1V @ 94µA1.2V @ 250µA1.4V @ 108µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V2 nC @ 10 V2.4 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3.1 nC @ 10 V3.2 nC @ 10 V3.3 nC @ 10 V3.45 nC @ 10 V3.5 nC @ 10 V3.65 nC @ 10 V3.7 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±13V±14V±15V15V±16V±20V20V±25V±30V±40V±50V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
34 pF @ 300 V40 pF @ 10 V59.2 pF @ 25 V60 pF @ 25 V65 pF @ 25 V70 pF @ 25 V72 pF @ 25 V73 pF @ 25 V73 pF @ 75 V74 pF @ 25 V75 pF @ 18 V75 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
750mW(Ta)770mW(Ta)800mW(Ta)800mW(Ta),6.2W(Tc)800mW(Ta),8.3W(Tc)820mW(Ta),8.33W(Tc)900mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta)1.13W(Ta)1.2W1.2W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 110°C(TA)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
-PG-SOT223PG-SOT223-3PG-SOT223-4PG-SOT223-4-21SC-73SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-223(TO-261)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
666结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 666
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BSP250,135
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Nexperia USA Inc.
114,111
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.72509
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 1A,10V
2.8V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 20 V
-
1.65W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK98150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
93,045
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.33697
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
5.5A(Tc)
4.5V,10V
137 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 1mA
5.3 nC @ 5 V
±15V
320 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK7880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
17,088
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.55403
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
7A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223-3
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
20,204
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.53370
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
DMN3032LE-13
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Diodes Incorporated
138,599
现货
1,032,500
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.55819
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 3.2A,10V
2V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
DMP10H400SE-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Diodes Incorporated
31,558
现货
540,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.74613
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.3A(Ta),6A(Tc)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
2W(Ta),13.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK9880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
147,167
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.78210
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
7A(Tc)
4.5V,10V
73 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 1mA
11 nC @ 5 V
±15V
584 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZXMP6A17GTA
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodes Incorporated
54,402
现货
61,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.02749
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3A(Ta)
4.5V,10V
125 毫欧 @ 2.2A,10V
1V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
DMN6068SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Diodes Incorporated
15,390
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.61988
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.1A(Ta)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Infineon Technologies
23,165
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.03918
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
2A(Ta)
4V,10V
140 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±16V
230 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
4,029
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.06661
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.5A(Ta)
4.5V,10V
300 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZVP4525GTA
MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Diodes Incorporated
12,895
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.36607
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
265mA(Ta)
3.5V,10V
14 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
DMP10H400SEQ-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Diodes Incorporated
1,070
现货
845,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.10726
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.3A(Ta),6A(Tc)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
2W(Ta),13.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRFL4310TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Infineon Technologies
12,986
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.17648
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
10V
200 毫欧 @ 1.6A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
7,844
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.26158
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.9A(Tc)
10V
3.3 欧姆 @ 590mA,10V
3.5V @ 30µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 500 V
-
6.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
FQT1N60CTF-WS
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
onsemi
3,940
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.27457
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
200mA(Tc)
10V
11.5 欧姆 @ 100mA,10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZXMP7A17GTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Diodes Incorporated
10,941
现货
278,000
工厂
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.63641
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 2.1A,10V
1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN1NK60Z
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
STMicroelectronics
17,706
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.35728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
300mA(Tc)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
6.9 nC @ 10 V
±30V
94 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
DMP6023LE-13
MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Diodes Incorporated
45,472
现货
587,500
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.40764
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7A(Ta),18.2A(Tc)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
STN3N40K3
STN3N40K3
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
STMicroelectronics
43,289
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.41707
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 600mA,10V
4.5V @ 50µA
11 nC @ 10 V
±30V
165 pF @ 50 V
-
3.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRFM120ATF
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
onsemi
6,000
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.48016
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.3A(Ta)
10V
200 毫欧 @ 1.15A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
480 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
96,635
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.55226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
3.1A(Ta)
4V,10V
65 毫欧 @ 3.1A,10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZXMN7A11GTA
MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Diodes Incorporated
9,675
现货
30,000
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.88098
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 4.4A,10V
1V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN4NF03L
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
STMicroelectronics
4,964
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.54280
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Tc)
5V,10V
50 毫欧 @ 2A,10V
1V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±16V
330 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Infineon Technologies
32,238
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.90020
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
680mA(Ta)
4.5V,10V
1.8 欧姆 @ 680mA,10V
2V @ 170µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
146 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
显示
/ 666

TO-261-4,TO-261AA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。