单 FET,MOSFET

结果 : 104
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
500 V600 V650 V700 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Tc)1.9A(Tc)2.3A(Tc)2.4A(Tc)2.6A(Tc)2.6A(Tj)2.8A(Tc)3.1A(Tc)3.6A(Tc)3.7A(Tc)4A(Tc)4.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 6.2A,13V280 毫欧 @ 4.2A,13V310 毫欧 @ 11A,10V380 毫欧 @ 3.2A,13V400 毫欧 @ 3.2435A,10V400 毫欧 @ 3.8A,10V460 毫欧 @ 3.4A,10V460 毫欧 @ 7.1A,10V500 毫欧 @ 2.3A,13V600毫欧 @ 1A,10V650 毫欧 @ 1.8A,13V650 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 100µA3.5V @ 130µA3.5V @ 150µA3.5V @ 170µA3.5V @ 200µA3.5V @ 210µA3.5V @ 260µA3.5V @ 280µA3.5V @ 300µA3.5V @ 30µA3.5V @ 320µA3.5V @ 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V9.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12.4 nC @ 10 V13 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
84 pF @ 100 V93 pF @ 100 V124 pF @ 100 V140 pF @ 100 V163 pF @ 100 V178 pF @ 100 V200 pF @ 100 V225 pF @ 100 V231 pF @ 100 V280 pF @ 100 V290 pF @ 100 V328 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
5W(Tc)18W(Tc)22W(Tc)25W(Tc)25.7W(Tc)26W(Tc)26.4W(Tc)27W(Tc)27.2W(Tc)28W(Tc)29W(Tc)29.2W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT223PG-SOT223-3PG-TO220-3PG-TO220-3-FPPG-TO220-FPPG-TO251-3PG-TO251-3-341PG-TO251-3-342PG-TO252-2PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO252-3-344PG-TO262-3-1TO-251
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
104结果
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/ 104
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-SOT223-3
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
20,197
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.53370
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
8,975
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.95318
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50R500CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Infineon Technologies
38,634
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.96883
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.6A(Tc)
13V
500 毫欧 @ 2.3A,13V
3.5V @ 200µA
18.7 nC @ 10 V
±20V
433 pF @ 100 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Infineon Technologies
2,079
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5.7A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 3.6A,10V
3.9V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Infineon Technologies
10,206
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49336
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.3A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 760mA,10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
38W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223-3
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Infineon Technologies
19,447
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.6A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 500mA,10V
3.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223-3
IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Infineon Technologies
10,641
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.36493
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.6A(Tc)
13V
2 欧姆 @ 600mA,13V
3.5V @ 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
124 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
28,024
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.45422
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.7A(Tc)
13V
3 欧姆 @ 400mA,13V
3.5V @ 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Infineon Technologies
3,015
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.54716
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.4A(Tc)
13V
2 欧姆 @ 600mA,13V
3.5V @ 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
124 pF @ 100 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223-3
IPN50R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Infineon Technologies
16,289
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65822
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.8A(Tc)
13V
1.4 欧姆 @ 900mA,13V
3.5V @ 70µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
178 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
3,935
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.89174
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.3A(Tc)
13V
950 毫欧 @ 1.2A,13V
3.5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 100 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Infineon Technologies
1,434
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.72595
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
9A(Tc)
13V
650 毫欧 @ 1.8A,13V
3.5V @ 150µA
15 nC @ 10 V
±20V
342 pF @ 100 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
20,527
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.67848
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
14.1A(Tc)
13V
380 毫欧 @ 3.2A,13V
3.5V @ 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
98W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Infineon Technologies
4,990
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.65088
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
13A(Ta)
13V
280 毫欧 @ 4.2A,13V
3.5V @ 350µA
32.6 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 100 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Infineon Technologies
4,180
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49336
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.6A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 500mA,10V
3.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
29W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223-3
IPN60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Infineon Technologies
5,839
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76366
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Infineon Technologies
14,940
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.01343
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.8A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3.5V @ 130µA
13 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD60R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Infineon Technologies
10,007
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.36436
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.8A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3.5V @ 130µA
13 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 100 V
-
61W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Infineon Technologies
21,420
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.45394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
5.4A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1A,10V
3.5V @ 130µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 100 V
-
53W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Infineon Technologies
2,254
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.92371
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7A(Tc)
10V
650 毫欧 @ 2.1A,10V
3.5V @ 210µA
23 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 100 V
-
86W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Infineon Technologies
4,860
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.53813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.9A(Tc)
10V
2.8 欧姆 @ 1.1A,10V
3.9V @ 120µA
12 nC @ 10 V
±20V
290 pF @ 100 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Infineon Technologies
16,661
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.28742
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
14.7A(Tc)
10V
400 毫欧 @ 3.8A,10V
3.5V @ 300µA
32 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 100 V
-
112W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-2
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP50R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Infineon Technologies
457
现货
1 : ¥16.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
18.5A(Tc)
13V
190 毫欧 @ 6.2A,13V
3.5V @ 510µA
47.2 nC @ 10 V
±20V
1137 pF @ 100 V
-
127W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
2,497
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.73186
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.4A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 2A,10V
3.5V @ 170µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
373 pF @ 100 V
-
74W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO-220-FP
IPA50R280CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220
Infineon Technologies
500
现货
1 : ¥12.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.5A(Tc)
13V
280 毫欧 @ 4.2A,13V
3.5V @ 350µA
32.6 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 100 V
-
30.4W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-FP
TO-220-3 整包
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。