Harris Corporation 单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF610S2497 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL Harris Corporation	1,700 市场	不可用对您所选的货币不可用	*	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HUF75337P3 MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 Harris Corporation	2,600 市场	不可用对您所选的货币不可用	UltraFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	75A（Tc）	-	14 毫欧 @ 75A，10V	4V @ 250µA	109 nC @ 20 V	±20V	1775 pF @ 25 V	-	175W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
HUF75307T3ST136 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL, Harris Corporation	3,263 市场	不可用对您所选的货币不可用	*	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRF512S2532 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL Harris Corporation	1,200 市场	不可用对您所选的货币不可用	*	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
RFP2P08 P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	3,542 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	2A（Tc）	10V	3.5 欧姆 @ 1A，10V	4V @ 1mA	-	±20V	150 pF @ 25 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
RFP2N08 N-CHANNEL, MOSFET Harris Corporation	3,360 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	2A（Tc）	10V	1.05 欧姆 @ 2A，5V	4V @ 250µA	-	±20V	200 pF @ 25 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
HUF75309D3S MOSFET N-CH 55V 19A DPAK Harris Corporation	14,180 市场	不可用对您所选的货币不可用	UltraFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	19A（Tc）	10V	70 毫欧 @ 19A，10V	4V @ 250µA	24 nC @ 20 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	55W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RFP2N10 N-CHANNEL, MOSFET Harris Corporation	1,323 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	2A（Tc）	10V	1.05 欧姆 @ 2A，5V	4V @ 250µA	-	±20V	200 pF @ 25 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
IRF620R4587 5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL Harris Corporation	1,197 市场	不可用对您所选的货币不可用	*	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
RFD4N06L N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,424 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	4A（Tc）	5V	600 毫欧 @ 1A，5V	2.5V @ 250µA	8 nC @ 10 V	±10V	-	-	30W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
RFD8P06E P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,278 市场	不可用对您所选的货币不可用	*	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
RFD3N08L N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,346 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	3A（Tc）	5V	800 毫欧 @ 1.5A，5V	2.5V @ 250µA	8 nC @ 10 V	±10V	-	-	30W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRF613 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,940 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	2.6A（Tc）	10V	2.4 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	135 pF @ 25 V	-	43W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFU110 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL Harris Corporation	2,825 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	4.3A（Tc）	10V	540 毫欧 @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-251AA	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
RFP4N06 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,079 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	4A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4A，10V	4V @ 250µA	-	±20V	200 pF @ 25 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
IRF523 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,608 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	8A（Tc）	10V	360 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
IRFU9110 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL Harris Corporation	2,564 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	3.1A（Tc）	10V	1.2 欧姆 @ 1.9A，10V	4V @ 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-251AA	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
RFD3N08LSM9A N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,425 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	3A（Tc）	5V	800 毫欧 @ 3A，5V	2.5V @ 250µA	8.5 nC @ 10 V	±10V	125 pF @ 25 V	-	30W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RFP14N06L N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,085 市场	不可用对您所选的货币不可用	*	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFD9110 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL Harris Corporation	15,652 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	700mA（Ta）	10V	1.2 欧姆 @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 25 V	-	1.3W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	4-DIP，Hexdip，HVMDIP	4-DIP（0.300"，7.62mm）
IRFR121 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,880 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	8.4A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RFD14N06LSM9A N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,500 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFD112 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Harris Corporation	1,371 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	800mA（Tc）	10V	800 毫欧 @ 800mA，10V	4V @ 250µA	7 nC @ 10 V	±20V	135 pF @ 25 V	-	1W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	4-DIP，Hexdip	4-DIP（0.300"，7.62mm）
IRFR1219A N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,500 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFR91109A P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,500 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

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