RFD4N06L | |
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DigiKey 零件编号 | 2156-RFD4N06L-ND |
制造商 | Harris Corporation |
制造商产品编号 | RFD4N06L |
描述 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 60 V 4A(Tc) 30W(Tc) IPAK |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 60 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 1A,5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±10V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 30W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | IPAK | |
封装/外壳 |
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