63A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 40
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP SemiconductorsNXP USA Inc.onsemiSemiQSMC Diode SolutionsSTMicroelectronicsVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CFD7ACoolSiC™EG2R™HiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, Q3 ClassMDmesh™ M6OptiMOS™Polar™POWER MOS 7®ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V100 V250 V500 V550 V600 V650 V1200 V3300 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 25A,10V9.5 毫欧 @ 20A,10V9.9 毫欧 @ 25A,10V10.9 毫欧 @ 46A,10V11 毫欧 @ 20A,10V12 毫欧 @ 25A,10V12.4 毫欧 @ 20A,10V15 毫欧 @ 11A,10V16.3 毫欧 @ 10A,10V18.5 毫欧 @ 25A,10V19 毫欧 @ 25A,10V20 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.15V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 10mA3.5V @ 10mA(典型值)3.5V @ 45µA3.6V @ 11.5mA3.8V @ 8.77mA4V @ 10mA4V @ 15mA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 1.63mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V13.3 nC @ 4.5 V16 nC @ 4.5 V29.8 nC @ 10 V31 nC @ 5 V31 nC @ 10 V35 nC @ 10 V49 nC @ 18 V50 nC @ 10 V53.4 nC @ 5 V88 nC @ 10 V91 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
±10V+15V,-4V±15V+19V,-8V±20V+23V,-5V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1165 pF @ 25 V1404 pF @ 50 V1565 pF @ 12 V1643 pF @ 400 V1680 pF @ 25 V2200 pF @ 25 V2225 pF @ 1000 V2317 pF @ 25 V2470 pF @ 20 V2500 pF @ 50 V2726 pF @ 1000 V3192 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
7.5W(Ta),65.2W(Tc)62.5W(Tc)78W(Tc)100W(Tj)106W(Tc)107W(Tc)136W(Tc)200W(Tc)203W(Tc)234W(Tc)278W(Tc)283W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
24-SMPDD2PAKDPAKISOPLUS264™ISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8-1PG-TO247-3PG-TO247-3-41PG-TO263-7-12Polar3™PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN24-PowerSMD,21 引线24-PowerSMD,22 引线PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
40结果
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/ 40
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Infineon Technologies
31,521
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.37141
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
63A(Tc)
6V,10V
10.9 毫欧 @ 46A,10V
3.5V @ 45µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
C3M0065100K
C3M0032120K
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
324
现货
1 : ¥297.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
15V
43毫欧 @ 40A,15V
3.6V @ 11.5mA
118 nC @ 15 V
+15V,-4V
3357 pF @ 1000 V
-
283W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
282
现货
1 : ¥2,427.39000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
3300 V
63A(Tc)
20V
50 毫欧 @ 40A,20V
3.5V @ 10mA(典型值)
340 nC @ 20 V
+25V,-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
D2PAK SOT404
BUK9620-100B,118
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Nexperia USA Inc.
14,312
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
800 : ¥7.64148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
63A(Tc)
4.5V,10V
18.5 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
53.4 nC @ 5 V
±15V
5657 pF @ 25 V
-
203W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IPW65R035CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,201
现货
1 : ¥62.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35.8A,10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Infineon Technologies
240
现货
1 : ¥88.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
31 毫欧 @ 32.6A,10V
4.5V @ 1.63mA
141 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
225
现货
1 : ¥208.94000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
15V
43毫欧 @ 40A,15V
3.6V @ 11.5mA
114 nC @ 15 V
+15V,-4V
3357 pF @ 1000 V
-
283W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
IXYS
148
现货
1 : ¥430.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
63A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 40A,10V
6.5V @ 8mA
200 nC @ 10 V
±30V
10000 pF @ 25 V
-
780W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
PowerPAK-SO-8L
SQJ170ELP-T1_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
6,424
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.52116
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
63A(Tc)
4.5V,10V
16.3 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
1165 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB
SUP10250E-GE3
MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
Vishay Siliconix
248
现货
1 : ¥22.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
63A(Tc)
7.5V,10V
-
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
-
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IMBG65R030M1HXTMA1
IMBG65R030M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
925
现货
1 : ¥105.82000
剪切带(CT)
1,000 : ¥66.99980
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
63A(Tc)
18V
42 毫欧 @ 29.5A,18V
5.7V @ 8.8mA
49 nC @ 18 V
+23V,-5V
1643 pF @ 400 V
-
234W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
MCB011N10YL-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Micro Commercial Co
1,600
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
800 : ¥5.31349
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
63A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
29.8 nC @ 10 V
±20V
1404 pF @ 50 V
-
100W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
E3M0160120J2-TR
E3M0040120J2-TR
40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Wolfspeed, Inc.
770
现货
1 : ¥166.41000
剪切带(CT)
800 : ¥110.38185
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
63A(Tc)
15V
53 毫欧 @ 31.9A,15V
3.8V @ 8.77mA
91 nC @ 15 V
+19V,-8V
2726 pF @ 1000 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-4
S2M0025120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
270
现货
1 : ¥350.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
130 nC @ 20 V
+25V,-10V
4402 pF @ 1000 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO247-3
STW68N60M6
MOSFET N-CH 600V TO247-3
STMicroelectronics
103
现货
30 : ¥77.66467
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
63A(Tc)
0V,10V
41 毫欧 @ 31.5A,10V
4.75V @ 250µA
106 nC @ 10 V
±25V
4360 pF @ 100 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
RF1S9640SM9A
BUK7620-100A,118
NEXPERIA BUK7620 - TRANSISTOR >3
NXP Semiconductors
3,180
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
63A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
-
±20V
4373 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-264
IXFL132N50P3
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
IXYS
25
现货
1 : ¥258.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
63A(Tc)
10V
43 毫欧 @ 66A,10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18600 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
ISOPLUS264™
TO-264-3,TO-264AA
MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD
MMIX1F132N50P3
MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD
IXYS
20
现货
860
工厂
1 : ¥410.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
63A(Tc)
10V
43 毫欧 @ 66A,10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18600 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD,21 引线
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
GP2T040A120U
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
SemiQ
61
现货
1 : ¥147.86000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
20V
52 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
118 nC @ 20 V
+25V,-10V
3192 pF @ 1000 V
-
322W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
GP2T040A120H
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
SemiQ
55
现货
1 : ¥153.44000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
20V
52 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
118 nC @ 20 V
+25V,-10V
3192 pF @ 1000 V
-
322W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IPWS65R035CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
30 : ¥71.85767
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35.8A,10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
Polar3
MMIX1T132N50P3
MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥416.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
63A(Tc)
10V
43 毫欧 @ 66A,10V
5V @ 8mA
267 nC @ 10 V
±30V
18600 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Polar3™
24-PowerSMD,22 引线
0
现货
查看交期
1 : ¥13.43000
剪切带(CT)
800 : ¥7.96373
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
63A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
29.8 nC @ 10 V
±20V
1404 pF @ 50 V
-
100W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SC-100 SOT-669
PH9930L,115
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56
NXP USA Inc.
0
现货
1,500 : ¥4.00376
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
63A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 25A,10V
2.15V @ 1mA
13.3 nC @ 4.5 V
±20V
1565 pF @ 12 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
SC-100 SOT-669
PH9030L,115
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56
NXP USA Inc.
0
现货
1,500 : ¥4.00376
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
63A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
13.3 nC @ 4.5 V
±20V
1565 pF @ 12 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
/ 40

63A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。