6.8A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SI4100DY-T1-E3 MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Vishay Siliconix	29,073 现货	1 : ¥7.31000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.89966 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	6V，10V	63 毫欧 @ 4.4A，10V	4.5V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 50 V	-	2.5W（Ta），6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDD1600N10ALZ MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 onsemi	3,562 现货	1 : ¥8.05000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.32083 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	5V，10V	160 毫欧 @ 3.4A，10V	2.8V @ 250µA	3.61 nC @ 10 V	±20V	225 pF @ 50 V	-	14.9W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF9520PBF MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Vishay Siliconix	8,616 现货	1 : ¥10.18000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	10V	600 毫欧 @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
SI4100DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Vishay Siliconix	7,095 现货	1 : ¥10.43000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.30102 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	6V，10V	63 毫欧 @ 4.4A，10V	4.5V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 50 V	-	2.5W（Ta），6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF9520SPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK Vishay Siliconix	2,352 现货	1 : ¥13.22000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	10V	600 毫欧 @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta），60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPN60R1K0CEATMA1 MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Infineon Technologies	14,940 现货	1 : ¥5.34000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.01343 卷带（TR）	CoolMOS™ CE	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	1 欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 100 V	-	5W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-SOT223-3	TO-261-4，TO-261AA
SQ3457EV-T1_GE3 MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP Vishay Siliconix	14,942 现货	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.05833 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	6.8A（Tc）	4.5V，10V	65 毫欧 @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 15 V	-	5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SQ3457EV-T1_BE3 MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP Vishay Siliconix	2,206 现货	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.78768 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	6.8A（Tc）	4.5V，10V	65 毫欧 @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 15 V	-	5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IPD60R1K0CEAUMA1 MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Infineon Technologies	10,007 现货	1 : ¥6.24000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.36436 卷带（TR）	CoolMOS™ CE	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	1 欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 100 V	-	61W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3-344	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF9520PBF-BE3 MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Vishay Siliconix	761 现货	1 : ¥10.18000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	-	600 毫欧 @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF9520STRLPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK Vishay Siliconix	1,894 现货	1 : ¥17.16000 剪切带（CT） 800 : ¥9.57715 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	10V	600 毫欧 @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta），60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFPC40PBF MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3 Vishay Siliconix	331 现货	1 : ¥29.06000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	1.2 欧姆 @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SSF6910 MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V Good-Ark Semiconductor	5,591 现货	1 : ¥4.76000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.98507 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	6.8A（Tc）	4.5V，10V	60 毫欧 @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	5.4W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA
FCPF7N60NT MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220F onsemi	0 现货	停产	SupreMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 nC @ 10 V	±30V	960 pF @ 100 V	-	30.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FDM606P MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP Fairchild Semiconductor	9,587 市场	不可用对您所选的货币不可用	PowerTrench®	散装	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	6.8A（Tc）	1.8V，4.5V	30 毫欧 @ 6.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 nC @ 4.5 V	±8V	2200 pF @ 10 V	-	1.92W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-MLP，MicroFET（3x2）	8-SMD，扁平引线裸焊盘
IPB60R520CP N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies	2,996 市场	不可用对您所选的货币不可用	CoolMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	630 pF @ 100 V	-	66W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFPC40 6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL Harris Corporation	968 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	1.2 欧姆 @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
FCPF7N60NT POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Fairchild Semiconductor	6,433 市场	不可用对您所选的货币不可用	SupreMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 nC @ 10 V	±30V	960 pF @ 100 V	-	30.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
IPA60R1K0CEXKSA1 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220 Infineon Technologies	454 现货	1 : ¥5.25000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	1 欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 100 V	-	26W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-FP	TO-220-3 整包
SIHF9520S-GE3 MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK Vishay Siliconix	788 现货	1 : ¥6.08000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	10V	600 毫欧 @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta），60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPP60R520CP N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies	500 市场	不可用对您所选的货币不可用	CoolMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.8A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	630 pF @ 100 V	-	66W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-1	TO-220-3
FDM606P MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP onsemi	0 现货	3,000 : ¥2.36319 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	6.8A（Tc）	1.8V，4.5V	30 毫欧 @ 6.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 nC @ 4.5 V	±8V	2200 pF @ 10 V	-	1.92W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-MLP，MicroFET（3x2）	8-SMD，扁平引线裸焊盘
CMS06N10V8-HF MOSFET N-CH 100V 6.8A 8DFN Comchip Technology	0 现货	3,000 : ¥2.36319 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	4.5V，10V	105mOhm @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	26.2 nC @ 10 V	±20V	1535 pF @ 15 V	-	1.7W（Ta），10.4W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PDFN（SPR-PAK ）（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
IRF9520NPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	2,000 : ¥4.10860 管件	HEXFET®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	-	480 毫欧 @ 4A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	-	350 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
FDD1600N10ALZD MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.8A（Tc）	5V，10V	160 毫欧 @ 3.4A，10V	2.8V @ 250µA	3.61 nC @ 10 V	±20V	225 pF @ 50 V	-	14.9W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD