54A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 58
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CFSDCoolSiC™FETKY™FRFET®, SuperFET® IIHEXFET®HiPerFET™, Ultra X3MDmesh™ IIOptiMOS™POWER MOS 7®STripFET™ F6SuperFET® IISuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V100 V300 V500 V600 V650 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V12V15V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 30A,10V6 毫欧 @ 10A,10V7 毫欧 @ 10A,10V7 毫欧 @ 14A,10V7毫欧 @ 27A,10V7.8 毫欧 @ 15A,10V7.9 毫欧 @ 15A,10V8.2 毫欧 @ 27A,10V11 毫欧 @ 15A,10V12 毫欧 @ 10A,10V13 毫欧 @ 15A,10V14 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.3V @ 250µA2.4V @ 61µA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 12mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.2 nC @ 5 V15 nC @ 10 V17 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V20.5 nC @ 5 V23 nC @ 10 V30.1 nC @ 10 V36 nC @ 10 V36.5 nC @ 10 V41 nC @ 18 V43 nC @ 12 V
Vgs(最大值)
±10V+15V,-4V±16V+18V,-3V±20V+22V,-10V+23V,-5V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
848 pF @ 15 V942 pF @ 20 V1060 pF @ 10 V1249 pF @ 25 V1279 pF @ 20 V1393 pF @ 400 V1500 pF @ 100 V1592 pF @ 25 V1700 pF @ 800 V1875 pF @ 30 V2116 pF @ 30 V2210 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
630mW(Ta),75W(Tc)1.8W(Ta),4.2W(Tc)2W(Ta),70W(Tc)3.8W(Ta),71W(Tc)29.8W(Tc)30W(Tc)35.7W(Tc)42W(Tc)44W(Tc)55W(Tc)60W(Tc)69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)8-MLP(3.3x3.3)8-PDFN(5x6)8-TSON Advance(3.1x3.1)D2PAKD3PAKDPAKIPAKISOPLUS247™LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-HDSOP-22
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN22-PowerBSOP 模块SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
58结果
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/ 58
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3L
UF3C065040K3S
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Qorvo
2,098
现货
1 : ¥104.02000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
54A(Tc)
12V
52 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
326W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4L
UF3C065040K4S
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Qorvo
9,594
现货
1 : ¥105.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
54A(Tc)
12V
52 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
326W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
LFPAK33
BUK9M12-60EX
MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
4,070
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.10763
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
54A(Tc)
5V
11 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
-
±10V
2769 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
TO-247-3
NTHL040N120M3S
SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
onsemi
465
现货
1 : ¥104.51000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
54A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+22V,-10V
1700 pF @ 800 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3L
UF3C065040T3S
MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Qorvo
1,311
现货
1 : ¥120.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
54A(Tc)
12V
52 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
326W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-4
NVH4L040N120M3S
SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
onsemi
373
现货
1 : ¥158.86000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
54A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+18V,-3V
1700 pF @ 800 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
10,532
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.70896
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
54A(Tc)
4.5V,10V
7毫欧 @ 27A,10V
2.5V @ 200µA
20 nC @ 10 V
±20V
1875 pF @ 30 V
-
630mW(Ta),75W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD64N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
STMicroelectronics
6,118
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.60381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
54A(Tc)
10V
8.2 毫欧 @ 27A,10V
4.5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2415 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
167
现货
1 : ¥76.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
54A(Tc)
10V
37 毫欧 @ 32.6A,10V
4.5V @ 1.63mA
136 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
245W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3
FCH077N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
onsemi
339
现货
1 : ¥82.59000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 27A,10V
5V @ 5.4mA
164 nC @ 10 V
±20V
7109 pF @ 100 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
ISOPLUS247 Pkg
IXTR102N65X2
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Littelfuse Inc.
210
现货
30 : ¥134.32333
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 51A,10V
5V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±30V
10900 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
ISOPLUS247™
TO-247-3
TO-247-3 AD EP
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
onsemi
894
现货
1 : ¥90.64000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 27A,10V
5V @ 250µA
164 nC @ 10 V
±20V
7162 pF @ 25 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
onsemi
439
现货
1 : ¥109.93000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
54A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+22V,-10V
1700 pF @ 800 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
IXFN55N120SK
IXFN55N120SK
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
IXYS
186
现货
1 : ¥560.57000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
54A(Tc)
15V
42 毫欧 @ 40A,15V
3.6V @ 12mA
107 nC @ 15 V
+15V,-4V
3360 pF @ 1000 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-220AB-3,SOT78
BUK9520-55A,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
NXP USA Inc.
0
现货
1,364
市场
停产
散装
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
54A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
-
±10V
2210 pF @ 25 V
-
118W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
GT095N04D5
GT095N04D5
MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Goford Semiconductor
4,630
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.50913
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
54A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 20 V
-
29.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
TO-220-3
IPP16CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
13,937
市场
停产
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
54A(Tc)
10V
15.7 毫欧 @ 54A,10V
2.4V @ 61µA
44 nC @ 10 V
±20V
4190 pF @ 50 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
25P06
GT060N04K
MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Goford Semiconductor
2,304
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.36318
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
54A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 30A,10V
2.3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1279 pF @ 20 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Fairchild Semiconductor
148
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 27A,10V
5V @ 250µA
164 nC @ 10 V
±20V
7162 pF @ 25 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247
TO-247-3
LFPAK33
BUK9M10-30EX
MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
333
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.56813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
54A(Tc)
5V
7.8 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
12.2 nC @ 5 V
±10V
1249 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
STW65N045M9-4
N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
STMicroelectronics
100
现货
1 : ¥98.60000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 28A, 10V
4.2V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±30V
4610 pF @ 400 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
G75P04F
G75P04F
MOSFET P-CH 40V 54A TO-220F
Goford Semiconductor
50
现货
1 : ¥9.85000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
54A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
106 nC @ 10 V
±20V
6768 pF @ 20 V
-
35.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
FCH077N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Fairchild Semiconductor
66
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 27A,10V
5V @ 5.4mA
164 nC @ 10 V
±20V
7109 pF @ 100 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
IXFH34N65X3
IXFH54N65X3
MOSFET 54A 650V X3 TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
30 : ¥80.68600
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
54A(Tc)
10V
59毫欧 @ 27A,10V
5.2V @ 4mA
49 nC @ 10 V
±20V
3360 pF @ 25 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXFH)
TO-247-3
IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG65R039M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥91.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥51.66061
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
54A(Tc)
18V
51 毫欧 @ 25A,18V
5.7V @ 7.5mA
41 nC @ 18 V
+23V,-5V
1393 pF @ 400 V
-
211W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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54A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。