Name: IMBG65R039M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R039M1HXTMA1TR-ND
Price: 91.05 CNY
Availability: OutOfStock

IMBG65R039M1HXTMA1
DigiKey 零件编号	448-IMBG65R039M1HXTMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IMBG65R039M1HXTMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IMBG65R039M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IMBG65R039M1HXTMA1
描述	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
原厂标准交货期	26 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 54A（Tc） 211W（Tc） PG-TO263-7-12
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IMBG65R039M1HXTMA1 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolSiC™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	51 毫欧 @ 25A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.7V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	41 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1393 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	211W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-7-12
封装/外壳	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
基本产品编号	IMBG65