4.8A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 26
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-SuperFET® III, FRFET®TrenchFET®U-MOSIII-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V45 V60 V100 V120 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 7A,10V25 毫欧 @ 4.8A,4.5V26 毫欧 @ 1A,4.5V30 毫欧 @ 4.8A,10V32 毫欧 @ 3.5A,4.5V34 毫欧 @ 6.9A,10V36 毫欧 @ 4.8A,4.5V37 毫欧 @ 4.8A,4.5V38 毫欧 @ 3.6A,4.5V40 毫欧 @ 2.4A,10V41毫欧 @ 3A,10V45 毫欧 @ 6A,10V46 毫欧 @ 4.3A,10V48 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 250µA(最小)2.5V @ 250µA3V @ 250µA3V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.3 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 10 V9 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V10.5 nC @ 10 V11.7 nC @ 10 V12.7 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20.4 nC @ 10 V21 nC @ 4.5 V22 nC @ 4.5 V22.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
400 pF @ 10 V440 pF @ 20 V450 pF @ 6 V520 pF @ 60 V558 pF @ 10 V585 pF @ 15 V620 pF @ 15 V800 pF @ 10 V815 pF @ 15 V1040 pF @ 12 V1063 pF @ 30 V1160 pF @ 30 V1190 pF @ 25 V1287 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
510mW(Ta)530mW(Ta),4.46W(Tc)620mW(Ta)700mW(Ta)710mW(Ta),8.3W(Tc)780mW(Ta),12.5W(Tc)800mW(Ta)840mW(Ta)900mW(Ta)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.3W(Ta)1.47W(Ta)1.7W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
4-Microfoot6-TSOP6-UDFN(2x2)8-SO8-SOIC8-SOP9-WLCSP(1.48x1.48)1206-8 ChipFET™ES6POWERDI3333-8PS-8(2.9x2.4)SOT-223-3SOT-23-3SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳
4-UFBGA,WLBGA4-XFBGA,CSPBGA6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)9-XFBGA,WLCSPSC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
26结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 26
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSOT-26
DMN4060SVT-7
MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
Diodes Incorporated
27,622
现货
24,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91288
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
46 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-223-3
ZXMN6A25GTA
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Diodes Incorporated
5,982
现货
67,000
工厂
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.67487
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 3.6A,10V
1V @ 250µA(最小)
20.4 nC @ 10 V
±20V
1063 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
DMN2055U-13
MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
4,350
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.56243
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
2.5V,4.5V
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV30ENEAR
MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
8,680
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.94686
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 4.8A,10V
2.5V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 20 V
-
710mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMP6050SFG-13
MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
31,616
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.92613
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8 SO
DMP3050LSS-13
MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
Diodes Incorporated
2,169
现货
15,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.40273
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
10.5 nC @ 10 V
±25V
620 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerDI3333-8
DMP6050SFG-7
MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
1,737
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.92610
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30UNEX
MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
2,990
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
1.5V,4.5V
36 毫欧 @ 4.8A,4.5V
900mV @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
558 pF @ 10 V
-
530mW(Ta),4.46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SOT-23-3
DMN2055U-7
MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
2,836
现货
39,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64951
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
2.5V,4.5V
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6 UDFN
NVLJS053N12MCLTAG
PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
onsemi
2,627
现货
6,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.41045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
53 毫欧 @ 5.2A,10V
3V @ 30µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
520 pF @ 60 V
-
620mW(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
8 SOIC
NTMS7N03R2
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
58,468
市场
停产
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 25 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS7N03R2G
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
8,205
市场
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 25 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
689
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.12130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.8A(Ta)
1.5V,4.5V
32 毫欧 @ 3.5A,4.5V
1V @ 1mA
12.7 nC @ 4.5 V
±8V
1040 pF @ 12 V
-
700mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
SOT-23-3
DMN2055UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.51492
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
2.5V,4.5V
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2055UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.62274
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
2.5V,4.5V
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOP
PJL9430A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.14478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 4.8A,10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
815 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
9-WLCSP
PMCM950ENEZ
MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
41毫欧 @ 3A,10V
1.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 30 V
-
780mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
9-WLCSP(1.48x1.48)
9-XFBGA,WLCSP
8-SOIC
SI4484EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
2,500 : ¥4.87826
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.8A(Ta)
6V,10V
34 毫欧 @ 6.9A,10V
2V @ 250µA(最小)
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
DMN1032UCB4-7
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.8A(Ta)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 1A,4.5V
1.2V @ 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±8V
450 pF @ 6 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA,WLBGA
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 2.4A,10V
2V @ 1mA
19 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 10 V
-
840mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PS-8(2.9x2.4)
8-SMD,扁平引线
Pkg 5547
SI5433BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
1.8V,4.5V
37 毫欧 @ 4.8A,4.5V
1V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
Pkg 5547
SI5433BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
1.8V,4.5V
37 毫欧 @ 4.8A,4.5V
1V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
SOT-223-3
ZXMN6A25G
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Diodes Incorporated
0
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.60698
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 3.6A,10V
1V @ 250µA(最小)
20.4 nC @ 10 V
±20V
1063 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
4-Micro Foot
SI8413DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.52738
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.8A(Ta)
2.5V,4.5V
48 毫欧 @ 1A,4.5V
1.4V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.47W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA,CSPBGA
8-SOIC
SI4484EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.8A(Ta)
6V,10V
34 毫欧 @ 6.9A,10V
2V @ 250µA(最小)
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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4.8A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。