SI5433BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | 分立半导体产品

SI5433BDC-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SI5433BDC-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI5433BDC-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SI5433BDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SI5433BDC-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 4.8A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	37 毫欧 @ 4.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.3W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	1206-8 ChipFET™
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
基本产品编号	SI5433

SI5433BDC-T1-GE3