35.8A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SI4186DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO Vishay Siliconix	3,237 现货	1 : ¥9.61000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.96146 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	35.8A（Tc）	4.5V，10V	2.6 毫欧 @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	90 nC @ 10 V	±20V	3630 pF @ 10 V	-	3W（Ta），6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SUP90330E-GE3 MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB Vishay Siliconix	399 现货	1 : ¥13.22000 管件	ThunderFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	35.8A（Tc）	7.5V，10V	37.5 毫欧 @ 12.2A，10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	1172 pF @ 100 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
BUK7M19-60EX MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	988 现货	1 : ¥7.06000 剪切带（CT） 1,500 : ¥2.78958 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	35.8A（Tc）	10V	19 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 1mA	17.3 nC @ 10 V	±20V	1055 pF @ 25 V	-	55W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LFPAK33	SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
SUD90330E-BE3 MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥12.48000 剪切带（CT） 2,000 : ¥5.14989 卷带（TR）	ThunderFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	35.8A（Tc）	7.5V，10V	37.5 毫欧 @ 12.2A，10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	1172 pF @ 100 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SUD90330E-GE3 MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥12.48000 剪切带（CT） 2,000 : ¥5.14989 卷带（TR）	ThunderFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	35.8A（Tc）	7.5V，10V	37.5 毫欧 @ 12.2A，10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	1172 pF @ 100 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63