34A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 137
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvo
系列
-AlphaMOSCoolSiC™EEFHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, Q ClassHiPerFET™, Ultra X2HiPerFET™, Ultra X3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V300 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V4.5V,5V5V5V,10V6V,10V10V12V15V15V,18V15V,20V18V18V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 34A,10V2.7 毫欧 @ 15A,4.5V3.7 毫欧 @ 20A,10V3.75 毫欧 @ 20A,10V8 毫欧 @ 17A,10V8.5 毫欧 @ 13A,10V9.5 毫欧 @ 17A,10V12 毫欧 @ 20A,10V16 毫欧 @ 20A,10V19 毫欧 @ 17A,10V21.5 毫欧 @ 10A,10V23 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.3V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA2.5V @ 650µA3V @ 1mA3.5V @ 200µA3.8V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 5 V12 nC @ 5 V16 nC @ 10 V16.1 nC @ 10 V17 nC @ 5 V17.5 nC @ 10 V19 nC @ 5 V20 nC @ 10 V21 nC @ 10 V23 nC @ 18 V24 nC @ 10 V28 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±15V+19V,-8V+20V,-2V+20V,-7V±20V+21V,-4V+22V,-10V+23V,-10V+23V,-5V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
779 pF @ 500 V806 pF @ 700 V959 pF @ 25 V980 pF @ 600 V1000 pF @ 400 V1043 pF @ 25 V1173 pF @ 25 V1200 pF @ 40 V1230 pF @ 800 V1280 pF @ 25 V1295 pF @ 40 V1370 pF @ 800 V
功率耗散(最大值)
630mW(Ta),57W(Tc)830mW(Ta),81W(Tc)1.5W(Ta)1.6W(Ta),61W(Tc)2.5W(Ta),5.7W(Tc)3.12W(Ta),208.3W(Tc)3.5W(Ta),7.8W(Tc)4W(Ta),150W(Tc)14W(Tc)30W(Tc)33W(Tc)35W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/603
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)8-DFN(5x6)8-DFN3333(3.3x3.3)8-HWSON(3.3x3.3)8-SOIC8-SOP8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)D2PAKDPAKISOPLUS247™ISOPLUS264™
封装/外壳
3-SMD,无引线8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘22-PowerBSOP 模块SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
137结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 137
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
13,572
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.09605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
34A(Tc)
6V,10V
19 毫欧 @ 17A,10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW(Ta),57W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
7,499
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.47578
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 200µA
21 nC @ 10 V
±20V
1910 pF @ 30 V
-
830mW(Ta),81W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
8-SOIC
SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Vishay Siliconix
7,620
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
34A(Tc)
1.8V,4.5V
2.7 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
84 nC @ 4.5 V
±8V
5760 pF @ 6 V
-
2.5W(Ta),5.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO252-3
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Infineon Technologies
2,987
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.79284
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Infineon Technologies
5,159
现货
1 : ¥27.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Infineon Technologies
6,740
现货
1 : ¥28.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.74399
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2Pak
STB40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
STMicroelectronics
2,420
现货
1 : ¥47.37000
剪切带(CT)
1,000 : ¥24.46924
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
88 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
242
现货
1 : ¥250.07000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
34A(Tc)
15V,18V
98 毫欧 @ 13A,18V
5.5V @ 7.7mA
64 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
267W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
33,722
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.38918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 25 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y25-60E,115
MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
47,431
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.20872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
5V
21.5 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 1mA
12 nC @ 5 V
±10V
1500 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
14,875
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.81800
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
34A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 13A,10V
2.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
3216 pF @ 15 V
-
14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
D2PAK SOT404
PHB32N06LT,118
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,762
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
800 : ¥5.25540
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
4.5V,5V
37 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 1mA
17 nC @ 5 V
±15V
1280 pF @ 25 V
-
97W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB Full Pack
IRFI4321PBF
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
Infineon Technologies
12,532
现货
1 : ¥18.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
34A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 20A,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4440 pF @ 50 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB 整包
TO-220-3 整包
TO-220-3 Type A
STP43N60DM2
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STMicroelectronics
193
现货
1 : ¥40.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
93 毫欧 @ 17A,10V
5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
STMicroelectronics
707
现货
1 : ¥46.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
88 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-3
NTHL070N120M3S
SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
onsemi
400
现货
37,800
工厂
1 : ¥58.37000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
34A(Tc)
18V
87 毫欧 @ 15A,18V
4.4V @ 7mA
57 nC @ 18 V
+22V,-10V
1230 pF @ 800 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PowerPAK 8 x 8
SIHH068N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
453
现货
1 : ¥64.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥33.45495
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 15A,10V
5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±30V
2650 pF @ 100 V
-
202W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
TO-3P
IXFQ34N50P3
MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
IXYS
288
现货
420
工厂
1 : ¥67.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
34A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 17A,10V
5V @ 4mA
60 nC @ 10 V
±30V
3260 pF @ 25 V
-
695W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
153
现货
1 : ¥102.95000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
34A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y27-40B,115
MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,793
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.57679
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
34A(Tc)
5V,10V
24 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 1mA
11 nC @ 5 V
±15V
959 pF @ 25 V
-
59.4W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN026-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,690
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.76796
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
34A(Tc)
10V
27.5 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
20 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 40 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y25-60EX
MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,578
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.86681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
16.1 nC @ 10 V
±20V
1043 pF @ 25 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y30-75B,115
MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,719
现货
1 : ¥9.61000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.21147
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
34A(Tc)
5V
28 毫欧 @ 15A,10V
2V @ 1mA
19 nC @ 5 V
±15V
2070 pF @ 25 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
8,984
现货
1 : ¥18.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.41847
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
34A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 500µA
35 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 40 V
-
1.6W(Ta),61W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
TO-220-F
STF42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
STMicroelectronics
4,921
现货
1 : ¥37.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
87 毫欧 @ 17A,10V
4.75V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±25V
2370 pF @ 100 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
显示
/ 137

34A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。