单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ P7MDmesh™ M2-EPTrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V600 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)260mA(Ta)1.5A(Ta)2.2A(Ta)2.6A(Ta)3.1A(Ta)4A(Tc)6.5A(Tc)34A(Tc)48A(Tc)53A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V2.5V,4V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
53 毫欧 @ 4A,10V57 毫欧 @ 3.6A,4.5V60 毫欧 @ 15.9A,10V65 毫欧 @ 2.2A,4.5V70 毫欧 @ 25.8A,10V87 毫欧 @ 17A,10V240 毫欧 @ 1.3A,10V750 毫欧 @ 1.4A,10V1.4 欧姆@ 700mA,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V3.6 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 100µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 1.72mA3.5V @ 40µA3.5V @ 70µA4V @ 800µA4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.81 nC @ 5 V4.7 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V9 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V55 nC @ 10 V67 nC @ 10 V170 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13.5 pF @ 3 V26.7 pF @ 25 V158 pF @ 400 V300 pF @ 10 V306 pF @ 400 V450 pF @ 20 V540 pF @ 15 V2370 pF @ 100 V2895 pF @ 400 V3800 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
300mW(Tj)480mW(Ta),6.25W(Tc)500mW(Ta)710mW(Ta)750mW(Ta)6.2W(Tc)6.7W(Tc)164W(Tc)250W(Tc)391W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
CST3CPG-SOT223PG-TO220-3PG-TO247-3-1SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-220TO-236AB
封装/外壳
SC-101,SOT-883TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
437,705
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32433
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
153,679
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87979
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
149,370
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.53121
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
1V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TO247-3
IPW60R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Infineon Technologies
1,391
现货
1 : ¥78.07000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
53A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 25.8A,10V
3.5V @ 1.72mA
170 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 100 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
24,336
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.34105
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
CST3C
SC-101,SOT-883
TO-236AB
PMV250EPEAR
MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
26,264
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68029
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
1.5A(Ta)
4.5V,10V
240 毫欧 @ 1.3A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 20 V
-
480mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT223
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Infineon Technologies
12,635
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91487
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
6.5A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 1.4A,10V
3.5V @ 70µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
306 pF @ 400 V
-
6.7W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23(TO-236)
SI2343DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
2,867
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
53 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT223
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Infineon Technologies
12,713
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.73251
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆@ 700mA,10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
6.2W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO-220-3
STP42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STMicroelectronics
1,000
现货
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
87 毫欧 @ 17A,10V
4.75V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±25V
2370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IPP60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
Infineon Technologies
500
现货
50 : ¥35.31400
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 11

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。