单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™SIPMOS®TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V55 V60 V75 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）170mA（Ta）200mA220mA（Ta）270mA（Ta）300mA（Ta）330mA（Ta）360mA（Ta）540mA（Ta）85A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 50A，10V19 毫欧 @ 30A，10V650 毫欧 @ 270mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2 欧姆 @ 330mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V4 欧姆 @ 500mA，10V4.2 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V8 欧姆 @ 150mA，10V8 欧姆 @ 170mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V10 欧姆 @ 130mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 2.7µA2V @ 20µA2V @ 250µA2V @ 80µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V1.5 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V2.26 nC @ 10 V2.4 nC @ 10 V3.57 nC @ 10 V72 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 25 V19 pF @ 25 V27 pF @ 25 V30 pF @ 5 V45 pF @ 25 V50 pF @ 10 V51 pF @ 25 V73 pF @ 25 V75 pF @ 25 V78 pF @ 25 V87 pF @ 25 V6000 pF @ 37.5 V6285 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW225mW（Ta）250mW（Tc）350mW（Ta）360mW（Ta）380mW（Ta）500mW（Ta）142W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）PG-SOT23SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,172,375
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.18882
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
180,018
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41962
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
199,100
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48926
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
110,992
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78376
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 330mA，10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
18,922
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
381,403
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
58,363
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50759
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Diodes Incorporated
69,392
现货
2,712,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
270mA（Ta）
4V，10V
4.2 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
87 pF @ 25 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
31,040
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58241
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
540mA（Ta）
4.5V，10V
650 毫欧 @ 270mA，10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
107,223
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06406
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
113,373
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.51523
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
150A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 37.5 V
-
142W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
1,059
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54872
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
2.5V，10V
4 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±20V
51 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFKW0202
BSS84
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Good-Ark Semiconductor
35,337
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V，10V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263 (D2Pak)
SQM85N15-19_GE3
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Vishay Siliconix
800
现货
1 : ¥37.93000
剪切带（CT）
800 : ¥17.33674
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
85A（Tc）
10V
19 毫欧 @ 30A，10V
3.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
6285 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。