单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Microchip TechnologyVishay Siliconix
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V130 V200 V220 V240 V250 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60mA(Ta)100mA(Ta)110mA(Ta)120mA(Tj)150mA(Ta)200mA(Ta)250mA(Ta)270mA(Ta)300mA(Ta)310mA(Ta)480mA(Ta)1A(Ta)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V2.5V,10V2.7V,10V3.3V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.5 毫欧/ 60A、10V750 毫欧 @ 2A,10V3.5 欧姆 @ 300mA,10V4 欧姆 @ 300mA,10V5 欧姆 @ 200mA,10V7 欧姆 @ 1A,10V8.5 欧姆 @ 500mA,10V11 欧姆 @ 300mA,10V12 欧姆 @ 200mA,10V14 欧姆 @ 100mA,10V14 欧姆 @ 100µA,10V25 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 56µA1.8V @ 1mA1.8V @ 56µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.4V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 10 V3.1 nC @ 10 V3.5 nC @ 5 V3.65 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V5.6 nC @ 10 V6.6 nC @ 10 V7.6 nC @ 10 V8 nC @ 10 V108 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14 pF @ 50 V41 pF @ 25 V45 pF @ 25 V72 pF @ 25 V76 pF @ 25 V76.8 pF @ 25 V77 pF @ 25 V110 pF @ 25 V187.3 pF @ 25 V188 pF @ 25 V231 pF @ 25 V6100 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
270mW(Ta)310mW(Ta)330mW(Ta)350mW(Ta)360mW(Ta)750mW(Ta)760mW(Ta)770mW(Ta)2W(Ta)417W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT23SOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323TO-220(IXTP)TO-236AB(SOT23)
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41,529
现货
7,194,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18435
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
60mA(Ta)
10V
25 欧姆 @ 100mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,888
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25364
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
100mA(Ta)
0V,10V
14 欧姆 @ 100µA,10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
27,824
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
110mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H11DSQ-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Diodes Incorporated
7,563
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30897
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
270mA(Ta)
4.5V,10V
11 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
76.8 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN30H4D0L-13
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Diodes Incorporated
5,345
现货
180,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
10,000 : ¥1.23943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
250mA(Ta)
2.7V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
187.3 pF @ 25 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN30H4D0L-7
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Diodes Incorporated
17,513
现货
141,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46441
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
250mA(Ta)
2.7V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
187.3 pF @ 25 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN13H750S-7
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Diodes Incorporated
9,720
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49528
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
130 V
1A(Ta)
6V,10V
750 毫欧 @ 2A,10V
4V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 25 V
-
770mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Diodes Incorporated
5,887
现货
414,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49528
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
480mA(Ta)
3.3V,10V
3.5 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 250µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
188 pF @ 25 V
-
760mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TN5325K1-G
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Microchip Technology
11,571
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.26910
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
150mA(Ta)
4.5V,10V
7 欧姆 @ 1A,10V
2V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TA)
-
-
表面贴装型
TO-236AB(SOT23)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H11DS-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,080
现货
297,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17129
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
270mA(Ta)
4.5V,10V
11 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
76.8 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT23 PKG
TP5322K1-G
MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Microchip Technology
5,227
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.59749
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
220 V
120mA(Tj)
4.5V,10V
12 欧姆 @ 200mA,10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB(SOT23)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
8,335
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71766
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
200mA(Ta)
2.5V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Diodes Incorporated
4,063
现货
143,000
工厂
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.10881
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
310mA(Ta)
2.5V,10V
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 1mA
3.65 nC @ 10 V
±40V
72 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
639
现货
1,300
工厂
1 : ¥47.04000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
120A(Tc)
10V
9.5 毫欧/ 60A、10V
4.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220(IXTP)
TO-220-3
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
93,554
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.18956
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
GSFC1208
BSS84AKW
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60
Good-Ark Semiconductor
7,234
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.23258
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 250µA
-
±20V
41 pF @ 25 V
-
270mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。