单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
EPCGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®ThunderFET®TrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），77.4A（Tc）64A（Tc）80A（Ta）105A（Tc）128A（Tc）140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V7.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，5V7.2 毫欧 @ 70A，10V7.9 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 30A，10V9 毫欧 @ 32A，10V11.8 毫欧 @ 63A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 11mA4V @ 250µA4.3V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 5 V44 nC @ 10 V71 nC @ 10 V74 nC @ 10 V95 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2900 pF @ 75 V3425 pF @ 75 V3740 pF @ 75 V5320 pF @ 50 V5400 pF @ 75 V5500 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），210W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）320W（Tc）375W（Tc）380W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
7-QFN（3x5）8-SOP Advance（5x5）D2PAK（7-Lead）PowerPAK® SO-8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
7,556
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.64245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
64A（Tc）
8V，10V
9 毫欧 @ 32A，10V
4.3V @ 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
960mW（Ta），210W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8 Single
SIR570DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
2,619
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.79503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19A（Ta），77.4A（Tc）
7.5V，10V
7.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3740 pF @ 75 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Vishay Siliconix
1,246
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
800 : ¥14.59375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
128A（Tc）
7.5V，10V
9 毫欧 @ 30A，10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3425 pF @ 75 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT427
IRFS4115TRL7PP
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Infineon Technologies
821
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
800 : ¥19.89133
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
105A（Tc）
10V
11.8 毫欧 @ 63A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5320 pF @ 50 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
TEXTISLM3671TLX-1.2/NOPB
IRFS4115TRL7PP
IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO
International Rectifier
23,788
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
105A（Tc）
10V
11.8 毫欧 @ 63A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5320 pF @ 50 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
GSFT06130
GSGT15140
MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Good-Ark Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
800 : ¥13.64018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
140A（Tc）
10V
7.2 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 75 V
-
320W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
0
现货
1 : ¥65.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥34.61456
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET（氮化镓）
150 V
80A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。