单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®U-MOSVIU-MOSVII-Hπ-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V40 V45 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）2.1A（Ta）2.5A（Ta）4A（Ta）4.3A（Tc）9.5A（Ta）20A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，8V2.5V，10V2.5V，4.5V3.3V，10V4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 50A，10V16 毫欧 @ 9.5A，10V22.2 毫欧 @ 10A，10V30 毫欧 @ 4A，4.5V51 毫欧 @ 3.2A，10V120 毫欧 @ 1.5A，10V130 毫欧 @ 2.5A，4.5V180mOhm @ 2A，4.V185 毫欧 @ 1A，8V190 毫欧 @ 2A，10V300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.2 V3.2 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V13 nC @ 10 V26.5 nC @ 5 V30 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V150 pF @ 10 V170 pF @ 20 V200 pF @ 10 V250 pF @ 10 V370 pF @ 20 V500 pF @ 10 V1830 pF @ 10 V1850 pF @ 10 V2350 pF @ 6 V2600 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
460mW（Ta），5W（Tc）540mW（Ta）700mW（Ta）800mW（Ta）960mW（Ta），1.7W（Tc）1W（Ta）1.4W（Ta）2.5W（Ta），69W（Tc）41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPDPAK+PG-TDSON-8-6SOT-23-3（TO-236）SOT-23FTO-236ABTSMT3UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-96SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
17,084
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.83782
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
74,410
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2A（Ta）
1.8V，8V
185 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
SI2356DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Vishay Siliconix
26,517
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85907
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.3A（Tc）
2.5V，10V
51 毫欧 @ 3.2A，10V
1.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±12V
370 pF @ 20 V
-
960mW（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV130ENEAR
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
22,720
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76184
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.1A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 20 V
-
460mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RQ5H020SPTL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
8,417
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.55327
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2A（Ta）
4V，10V
190 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 1mA
9.5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 10 V
-
540mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
11,909
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16555
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
3.3V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
TSMT3
RQ5H020TNTL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
3,250
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.75028
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2A（Ta）
2.5V，4.5V
180mOhm @ 2A，4.V
1.5V @ 1mA
4.1 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
1,415
现货
1 : ¥15.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.31261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Ta）
6V，10V
22.2 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 1mA
37 nC @ 10 V
+10V，-20V
1850 pF @ 10 V
-
41W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSMT3
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
8,495
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.10376
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
30 nC @ 4.5 V
±10V
2350 pF @ 6 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TSMT3
RTR025N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
5,301
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.51318
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
130 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
8-SOIC
RSS095N05HZGTB
NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09
Rohm Semiconductor
2,250
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.61005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
9.5A（Ta）
4V，10V
16 毫欧 @ 9.5A，10V
2.5V @ 1mA
26.5 nC @ 5 V
±20V
1830 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。