Name: TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ20S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 10.26 CNY
Availability: InStock

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
DigiKey 零件编号	264-TJ20S04M3L(T6L1,NQTR-ND - 卷带（TR） 264-TJ20S04M3L(T6L1,NQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TJ20S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
描述	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
原厂标准交货期	74 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 40 V 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TJ20S04M3L(T6L1,NQ 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	22.2 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1850 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	41W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK+
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	TJ20S04