24A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 276
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CFD7ACoolMOS™ S7CoolSiC™CoolSIC™ M1
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V80 V85 V100 V150 V200 V250 V300 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V10V,12V10V,15V12V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 毫欧 @ 24A,10V5.5 毫欧 @ 23.8A,10V5.7 毫欧 @ 20A,10V6 毫欧 @ 15.7A,10V6.8 毫欧 @ 20A,10V7.8 毫欧 @ 24A,5V8.5 毫欧 @ 10A,10V8.8 毫欧 @ 20A,10V11 毫欧 @ 17A,10V12.3 毫欧 @ 12A,10V13.2 毫欧 @ 20A,10V13.6 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.2V @ 12µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.5 nC @ 5 V8.4 nC @ 10 V8.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10.9 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V11.7 nC @ 5 V11.9 nC @ 5 V12.5 nC @ 10 V13 nC @ 5 V13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±15V±16V±18V+20V,-2V±20V+21V,-4V+22V,-4V+23V,-5V+25V,-5V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
370 pF @ 25 V450 pF @ 25 V496 pF @ 400 V520 pF @ 20 V574 pF @ 800 V584 pF @ 25 V624 pF @ 400 V628 pF @ 25 V660 pF @ 25 V670 pF @ 50 V675 pF @ 40 V690 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.36W(Ta),62.5W(Tj)1.5W(Ta)1.5W(Ta),16.5W(Tc)1.6W(Ta),48W(Tc)1.9W(Ta),90W(Tc)2.5W(Ta),44W(Tc)2.5W(Ta),5.7W(Tc)2.5W(Ta),6W(Tc)2.9W(Ta)3.1W(Ta),23W(Tc)3.5W(Ta),19W(Tc)3.5W(Ta),27.8W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-PQFN(8x8)4-TDFN(8x8)8-DFN-EP(3x3)8-DFN(5x6)8-HWSON(3.3x3.3)8-PDFN(5x6)8-PPAK(4.9x5.8)8-SOIC8-SOP Advance(5x5)24-SMPDD2PAKDPAK
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)10-PowerSOP 模块22-PowerBSOP 模块24-PowerSMD,21 引线ISOPLUS220™ISOPLUSi5-PAK™
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
276结果
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/ 276
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
247,918
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.16087
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Tc)
4.5V,10V
16.5 毫欧 @ 12A,10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W(Ta),24W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
223,083
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.84721
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 17A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1995 pF @ 15 V
-
5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-33
IAUC24N10S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Infineon Technologies
14,526
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.09155
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
24A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 12A,10V
2.2V @ 12µA
11 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD20NF06T4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
13,741
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.37968
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
11,750
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.95748
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
5V,10V
40 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±18V
660 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Infineon Technologies
4,661
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.68064
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 15A,10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D2Pak
STB33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
STMicroelectronics
308
现货
1 : ¥32.59000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.85695
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
140 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
41.5 nC @ 10 V
±25V
1790 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3 Type A
STP33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
STMicroelectronics
537
现货
1 : ¥34.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
24A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 12A,10V
5V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Infineon Technologies
2,864
现货
1 : ¥42.53000
剪切带(CT)
1,000 : ¥21.96894
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO247-3
IPW65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Infineon Technologies
1,181
现货
1 : ¥46.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
406
现货
1 : ¥122.82000
剪切带(CT)
1,000 : ¥77.79315
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
24A(Tc)
18V
81 毫欧 @ 12A,18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V,-4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
AON6266E
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,434
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
4.5V,10V
13.2 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
755 pF @ 30 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN045-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,315
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.17680
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
24A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
12.5 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 40 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerPAK 1212-8
SI7619DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
114,120
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.48136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 10.5A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),27.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
SI4156DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Vishay Siliconix
4,064
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05598
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 15.7A,10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MFG_DPAK(TO252-3)
STD30N6LF6AG
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
2,416
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.48608
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Vishay Siliconix
26,147
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.84826
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1720 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),5.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
21,000
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.01124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
5V,10V
70 毫欧 @ 8A,10V
1V @ 250µA
7.5 nC @ 5 V
±18V
370 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
Infineon Technologies
1,863
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.76054
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 14A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Infineon Technologies
29,248
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
800 : ¥7.83626
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
77.5 毫欧 @ 15A,10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPak SO-8L
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,754
现货
1 : ¥14.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.38756
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 10.3A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1225 pF @ 30 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB Full Pack
IRFI1310NPBF
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Infineon Technologies
1,300
现货
1 : ¥14.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
24A(Tc)
10V
36 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB 整包
TO-220-3 整包
PG-TDSON-8-1
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Infineon Technologies
5,497
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.08885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
50mOhm @ 22A,10V
4V @ 60µA
15 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 100 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263AB
IXTA24P085T
MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Littelfuse Inc.
3,540
现货
450
工厂
1 : ¥22.25000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
85 V
24A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 12A,10V
4.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±15V
2090 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TDSON-8-1
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Infineon Technologies
17,136
现货
1 : ¥25.53000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.90934
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
24A(Tc)
10V
67 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 125 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
/ 276

24A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。