21.5A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
12 V200 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 毫欧 @ 12A，4.5V102 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30.7 nC @ 10 V80 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1568 pF @ 30 V5020 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），4.45W（Tc）4.45W（Tc）113W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICLFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
60,873
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.39690
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
21.5A（Tc）
10V
102 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 1mA
30.7 nC @ 10 V
±20V
1568 pF @ 30 V
-
113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8-SOIC
SI4866BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
21.5A（Tc）
1.8V，4.5V
5.3 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
80 nC @ 4.5 V
±8V
5020 pF @ 6 V
-
2.5W（Ta），4.45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4866BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
21.5A（Tc）
1.8V，4.5V
5.3 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
80 nC @ 4.5 V
±8V
5020 pF @ 6 V
-
4.45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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21.5A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。