170A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 58
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor CorporationTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, TrenchHiPerFET™, Ultra X2HiPerFET™, Ultra X3NexFET™OptiMOS™PolarPolarP™QFET®SGTStrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V300 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V10V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 20A,10V1.2 毫欧 @ 30A,10V1.5 毫欧 @ 90A,10V1.65 毫欧 @ 100A,10V2 毫欧 @ 20A,10V2 毫欧 @ 27A,10V2.2 毫欧 @ 20A,10V2.2 毫欧 @ 30A,10V2.25 毫欧 @ 20A,10V2.4 毫欧 @ 25A,10V2.5 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3.5V @ 250µA3.6V @ 1mA3.8V @ 267µA3.9V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 8mA4.5V @ 1mA4.5V @ 4mA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 4.5 V57 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V68.7 nC @ 10 V70 nC @ 10 V81 nC @ 10 V82 nC @ 10 V90 nC @ 10 V93 nC @ 10 V95 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2980 pF @ 15 V3944 pF @ 25 V4224 pF @ 20 V4954 pF @ 30 V4973 pF @ 30 V5044 pF @ 30 V5058 pF @ 30 V5064 pF @ 30 V5070 pF @ 30 V5119 pF @ 30 V5300 pF @ 15 V5852 pF @ 12 V
功率耗散(最大值)
2.8W(Ta),57W(Tc)3W(Ta),150W(Tc)3.2W(Ta),100W(Tc)89.2W(Tc)91W(Tc)104W(Tc)125W(Tc)135W(Tc)150W(Tc)200W(Tc)208W(Tj)215W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)8-PDFN(5x6)8-PPAK(5.1x5.86)8-QFN(5x6)8-WDFN(3.3x3.3)D2PAKDFN5060LFPAK56,Power-SO8MG-WDSON-2,CanPAK M™PG-TO263-3PLUS247™-3PLUS264™
封装/外壳
3-WDSON8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8SOT-1023,4-LFPAKSOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AATO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
58结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 58
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-1023
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
1,197
现货
1 : ¥29.64000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.19706
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
170A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 40 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3207TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Infineon Technologies
3,584
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
800 : ¥18.52871
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
170A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-264
IXFK170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Littelfuse Inc.
2,717
现货
525
工厂
1 : ¥120.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
170A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 4mA
265 nC @ 10 V
±20V
19600 pF @ 25 V
-
1150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-264
IXTK170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Littelfuse Inc.
877
现货
1 : ¥169.20000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
240 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
IXYK1x0xNxxxx
IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Littelfuse Inc.
439
现货
1 : ¥309.76000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
240 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
8-WDFN
NTTFS4C02NTAG
MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
onsemi
1,046
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.87629
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
170A(Tc)
4.5V,10V
2.25 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±20V
2980 pF @ 15 V
-
91W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-220-3
CSD18542KCS
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Texas Instruments
461
现货
1 : ¥19.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170A(Tc)
4.5V,10V
44 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-268
IXTT170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Littelfuse Inc.
385
现货
1 : ¥97.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
198 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
715W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-247_IXFH
IXFH170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Littelfuse Inc.
217
现货
1 : ¥166.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
170A(Tc)
10V
7.4 毫欧 @ 85A,10V
4.5V @ 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Littelfuse Inc.
196
现货
360
工厂
1 : ¥293.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
170A(Tc)
10V
7.4 毫欧 @ 85A,10V
4.5V @ 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
DDPAK/TO-263-3
CSD18542KTTT
MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Texas Instruments
288
现货
1 : ¥23.81000
剪切带(CT)
50 : ¥19.14040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
250W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(DDPAK-3)
TO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA
TO-3P
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Littelfuse Inc.
270
现货
1 : ¥98.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
198 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
715W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-220AB PKG
IRFB3207PBF
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Infineon Technologies
980
现货
1 : ¥22.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
170A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 50 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
DMPH4015SPSQ-13
DMTH32M5LPSQ-13
MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
2,371
现货
287,500
工厂
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.69645
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
170A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 1mA
68 nC @ 10 V
±16V
3944 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerPAK_SO-8L_Top
SQJ110EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Vishay Siliconix
1,000
现货
1 : ¥20.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.86153
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
6.3 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
113 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
IPB019N08NF2SATMA1
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
920
现货
1 : ¥34.40000
剪切带(CT)
800 : ¥20.77614
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
170A(Tc)
6V,10V
1.65 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
GSFPR8504
GSGP2R608
MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Good-Ark Semiconductor
10,000
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.41295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
170A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 50A,10V
3.9V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
6022 pF @ 40 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PPAK(5.1x5.86)
8-PowerTDFN
GT023N10M
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Goford Semiconductor
783
现货
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
800 : ¥7.81974
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
5119 pF @ 30 V
-
215W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
G30N04D3
GT025N06AD5
N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Goford Semiconductor
4,641
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.26204
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
5044 pF @ 30 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
G30N04D3
GT025N06D5
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Goford Semiconductor
7,076
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.47432
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF2204SPBF
MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
903
市场
停产
散装
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
170A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 130A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
5890 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247_IXFH
IXFH170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Littelfuse Inc.
85
现货
720
工厂
1 : ¥99.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 4mA
198 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
715W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD(IXFH)
TO-247-3
TO-220-3
IXTP170N075T2
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Littelfuse Inc.
50
现货
1 : ¥32.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
170A(Tc)
10V
5.4 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
109 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
27
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.02000
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
170A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4224 pF @ 20 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(5x6)
8-PowerTDFN
GT52N10T
GT025N06AT
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Goford Semiconductor
85
现货
1 : ¥14.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
4954 pF @ 30 V
-
215W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 58

170A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。