10.5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 28
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.7V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V,20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 13A,10V7.8 毫欧 @ 16.4A,10V11 毫欧 @ 20A,10V11 毫欧 @ 8.5A,4.5V11.5 毫欧 @ 10.5A,4.5V11.6 毫欧 @ 8.5A,4.5V11.7 毫欧 @ 10.5A,10V12 毫欧 @ 10.5A,4.5V13.5 毫欧 @ 10.5A,4.5V14 毫欧 @ 11.6A,10V14 毫欧 @ 11A,20V14 毫欧 @ 9.5A,10V15 毫欧 @ 10.5A,10V17 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 5 V23 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V25.8 nC @ 8 V26.7 nC @ 10 V29 nC @ 4.5 V33.7 nC @ 10 V45.6 nC @ 10 V46 nC @ 4.5 V46 nC @ 5 V52.6 nC @ 8 V60 nC @ 4.5 V95 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V20V±25V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
690 pF @ 15 V1130 pF @ 10 V1200 pF @ 15 V1281 pF @ 15 V1400 pF @ 15 V1674 pF @ 15 V1730 pF @ 10 V1779 pF @ 10 V2150 pF @ 10 V2453 pF @ 10 V2508 pF @ 10 V2700 pF @ 6 V4965 pF @ 15 V9250 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
660mW(Ta)810mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta),19.5W(Tc)1.5W(Ta)1.7W(Ta)1.9W(Ta),12.5W(Tc)2W(Ta)2.5W(Ta)3.1W(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)-
供应商器件封装
8-DFN(3x3)8-SO8-SOIC8-SOPDFN2020M-6POWERDI3333-8PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SHU-DFN2020-6(E 类)U-DFN2020-6(SWP)U-DFN2523-6
封装/外壳
6-PowerUDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SH
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
28结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 28
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMG7430LFG-7
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Diodes Incorporated
55,662
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
2,000 : ¥0.89524
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
26.7 nC @ 10 V
±20V
1281 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
IRF7240TRPBF
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Infineon Technologies
5,884
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.90314
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10.5A,10V
3V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
9250 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SI7116DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,049
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.38144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 16.4A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
6-DFN2020MD_View 2
PMPB09R5TPX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Nexperia USA Inc.
9,000
现货
3,000 : ¥1.66142
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10.5A(Ta)
1.8V,4.5V
11.5 毫欧 @ 10.5A,4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±12V
1730 pF @ 10 V
-
1.9W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB09R5VPX
PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Nexperia USA Inc.
9,776
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
10.5A(Ta)
1.5V,4.5V
12 毫欧 @ 10.5A,4.5V
900mV @ 250µA
46 nC @ 4.5 V
±8V
2700 pF @ 6 V
-
1.9W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-SOIC
AO4468
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
18,574
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.44320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 11.6A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMG4413LSS-13
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Diodes Incorporated
3,924
现货
5,000
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.99816
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 13A,10V
2.1V @ 250µA
46 nC @ 5 V
±20V
4965 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SI7116DN-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,064
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.94033
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 16.4A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-DFN
AON3414
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
6,100
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.94730
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 9A,10V
2.4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(3x3)
8-SMD,扁平引线
8-SOIC
SI4413ADY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Vishay Siliconix
1,537
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.00981
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
95 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type E
DMN2015UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,960
现货
45,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21812
卷带(TR)
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10.5A(Ta)
1.5V,4.5V
11.6 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.1V @ 250µA
45.6 nC @ 10 V
±12V
1779 pF @ 10 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
U-DFN2523-6
DMP3013SFK-7
MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Diodes Incorporated
2,990
现货
3,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89173
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
10.5A(Ta)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
PowerPAK 1212-8SH
SISH116DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.06551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 16.4A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
8-SOIC
NDS8426A
MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
296,640
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10.5A(Ta)
2.7V,4.5V
13.5 毫欧 @ 10.5A,4.5V
1V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±8V
2150 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type E
DMN2013UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
3,000
现货
30,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.40864
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10.5A(Ta)
1.5V,4.5V
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.1V @ 250µA
25.8 nC @ 8 V
±8V
2453 pF @ 10 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
8-SOIC
AO4435L
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
3,000 : ¥1.67559
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
5V,20V
14 毫欧 @ 11A,20V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2523-6
DMP3013SFK-13
MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.69327
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 9.5A,10V
3V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±25V
1674 pF @ 15 V
-
1W(Ta),19.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMW2013UFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
30,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥1.81539
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10.5A(Ta)
1.5V,4.5V
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.1V @ 250µA
52.6 nC @ 8 V
±8V
2508 pF @ 10 V
-
810mW(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(SWP)
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMG7430LFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
10,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥1.88485
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
26.7 nC @ 10 V
±20V
1281 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMN2013UFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
30,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.94906
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10.5A(Ta)
1.5V,4.5V
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.1V @ 250µA
25.8 nC @ 8 V
±8V
2453 pF @ 10 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
0
现货
3,000 : ¥1.97180
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
5V,20V
14 毫欧 @ 11A,20V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerDI3333-8
DMG7430LFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
72,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.98228
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
26.7 nC @ 10 V
±20V
1281 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-SOIC
NDS8426A
MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
onsemi
0
现货
2,500 : ¥4.24440
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10.5A(Ta)
2.7V,4.5V
13.5 毫欧 @ 10.5A,4.5V
1V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±8V
2150 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RSS105N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
0
现货
2,500 : ¥5.50077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4V,10V
11.7 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 1mA
15 nC @ 5 V
20V
1130 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RSS105N03TB
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
0
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.48608
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.5A(Ta)
4V,10V
11.7 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 1mA
15 nC @ 5 V
20V
1130 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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10.5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。