Name: DMN2013UFDEQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2013UFDEQ-7TR-ND
Price: 1.94906 CNY
Availability: OutOfStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25.8 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2453 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	660mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳	6-PowerUDFN
基本产品编号	DMN2013

DMN2013UFDEQ-7