1.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 45
制造商
Diotec SemiconductorFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.MaxLinear, Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ P7LITTLE FOOT®MDmesh™ K5QFET®SuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V100 V190 V450 V500 V520 V600 V800 V1000 V1050 V1200 V2500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V4V,5V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
90 毫欧 @ 1A,4.5V225 毫欧 @ 1.6A,4.5V440 毫欧 @ 750mA,5V540 毫欧 @ 900mA,10V540 毫欧 @ 900mA,5V2.4 欧姆 @ 500mA,4.5V4.5 옴 @ 400mA,10V4.5 欧姆 @ 500mA,10V5.3 欧姆 @ 750mA,10V6.3 欧姆 @ 750mA,10V8 欧姆 @ 750mA,10V8.5 欧姆 @ 200mA,10V10 欧姆 @ 500mA,10V10.5 欧姆 @ 750mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA3.5V @ 200µA3.5V @ 20µA3.7V @ 250µA3.7V @ 50µA4V @ 100µA4V @ 250µA4.5V @ 25µA5V @ 100µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.7 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V5.3 nC @ 10 V6.1 nC @ 5 V6.5 nC @ 10 V7 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V7.9 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V8 nC @ 5 V8.3 nC @ 10 V10 nC @ 10 V11 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±10V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
80 pF @ 500 V115 pF @ 100 V124 pF @ 100 V135 pF @ 50 V156 pF @ 25 V160 pF @ 25 V170 pF @ 25 V180 pF @ 25 V235 pF @ 25 V250 pF @ 25 V250 pF @ 500 V340 pF @ 25 V350 pF @ 25 V400 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
312mW(Tc)1.1W(Ta),3.1W(Tc)2W(Ta),3.1W(Tc)2.2W(Tc)2.4W(Ta),13W(Tc)3.13W(Ta),63W(Tc)6W(Tc)13W(Tc)20W(Tc)25W(Tc)30W(Tc)35W(Tc)36W(Tc)46W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
-DPAKH2PAK-2IPAKPG-SOT223PG-TO251-3-21PG-TO252-3PowerPAK® SC-75-6SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-323
封装/外壳
-PowerPAK® SC-75-6SC-70,SOT-323TO-220-3TO-220-3 全封装,成形引线TO-220-3 整包TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
45结果
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/ 45
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5935
SIB452DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Vishay Siliconix
46,230
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.36319
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
190 V
1.5A(Tc)
1.8V,4.5V
2.4 欧姆 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250µA
6.5 nC @ 10 V
±16V
135 pF @ 50 V
-
2.4W(Ta),13W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-75-6
PowerPAK® SC-75-6
SOT223-3L
IRLL110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
7,885
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80394
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
4V,5V
540 毫欧 @ 900mA,5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
STMicroelectronics
3,060
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.90146
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1050 V
1.5A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 100µA
10 nC @ 10 V
±30V
115 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
H2PAK
STH2N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,946
现货
1 : ¥36.29000
剪切带(CT)
1,000 : ¥18.74955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
1.5A(Tc)
10V
10 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 100µA
5.3 nC @ 10 V
±30V
124 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH1N250
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
Littelfuse Inc.
184
现货
1 : ¥333.73000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
1.5A(Tc)
-
40 欧姆 @ 750mA,10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
-
1660 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
PG-SOT223
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Infineon Technologies
9,807
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.07371
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
4.5 옴 @ 400mA,10V
3.5V @ 20µA
4 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 500 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRLL110TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
7,679
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80394
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
4V,5V
540 毫欧 @ 900mA,5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRFL110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
7,171
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80394
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-268
IXTT1N250HV
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Littelfuse Inc.
931
现货
1 : ¥382.33000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
1.5A(Tc)
10V
40 欧姆 @ 750mA,10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1660 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
SOT223-3L
SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
2,160
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.40591
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
-
540 毫欧 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRFL110TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
3,654
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.43522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
IPU80R4K5P7AKMA1
IPU80R4K5P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Infineon Technologies
1,466
现货
1 : ¥6.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
4.5 옴 @ 400mA,10V
3.5V @ 200µA
4 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 500 V
-
13W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3-21
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
I-Pak
STD2NC45-1
MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
STMicroelectronics
1,001
现货
1 : ¥6.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
1.5A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 500mA,10V
3.7V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
SOT223-3L
SIHFL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
2,500
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.67559
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
SIHLL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
2,166
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.71227
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Tc)
4V,5V
540 毫欧 @ 900mA,5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-220F
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
onsemi
787
现货
1 : ¥12.31000
管件
1 : ¥9.44000
管件
-
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
6.3 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
I-Pak
STU2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
STMicroelectronics
6,967
现货
1 : ¥14.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1050 V
1.5A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 100µA
10 nC @ 10 V
±30V
115 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK/TP
NDD01N60-1G
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
onsemi
0
现货
10,766
市场
停产
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.5A(Tc)
10V
8.5 欧姆 @ 200mA,10V
3.7V @ 50µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
SSP1N50B
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
2,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
520 V
1.5A(Tc)
10V
5.3 欧姆 @ 750mA,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
GSFC1208
GSF2315
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
Good-Ark Semiconductor
2,705
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59702
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Tc)
1.8V,4.5V
90 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±10V
510 pF @ 15 V
-
312mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TO-220F-3 (Y-Forming)
FQPF2N80YDTU
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
onsemi
2,144
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
6.3 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3(Y 型)
TO-220-3 全封装,成形引线
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF2N80YDTU
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Fairchild Semiconductor
425
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
6.3 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3(Y 型)
TO-220-3 全封装,成形引线
TO-220-3
STP2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
STMicroelectronics
1
现货
1 : ¥13.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1050 V
1.5A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 100µA
10 nC @ 10 V
±30V
115 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO252-3
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.35493
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
4.5 옴 @ 400mA,10V
3.5V @ 200µA
4 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 500 V
-
13W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
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2,500 : ¥1.16057
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.5A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 750mA,10V
4V @ 250µA
7.9 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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1.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。