NDD01N60-1G 已经过时且不再制造。
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Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 14,990
单价: ¥5.66000
规格书

NDD01N60-1G

DigiKey 零件编号
NDD01N60-1G-ND
制造商
制造商产品编号
NDD01N60-1G
描述
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 1.5A(Tc) 46W(Tc) IPAK
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
46W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
IPAK
封装/外壳
基本产品编号

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