存储器

结果 : 3
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncWinbond Electronics
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NAND（SLC）SDRAM - DDR3SDRAM - DDR3L
存储容量
2Gb4Gb8Gb
存储器组织
128M x 16256M x 161G x 8
写周期时间 - 字，页
15ns25ns，700µs
访问时间
20 ns25 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V1.425V ~ 1.575V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）0°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）96-TFBGA
供应商器件封装
48-TSOP96-TWBGA（9x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
18,137
现货
1 : ¥42.20000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
4Gb
256M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.425V ~ 1.575V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
525
现货
1 : ¥52.71000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
2Gb
128M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
48-TSOP SERIES
W29N08GVSIAA
8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT
Winbond Electronics
85
现货
1 : ¥129.71000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND（SLC）
8Gb
1G x 8
并联
-
25ns，700µs
25 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。