单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）130mA（Tj）180mA（Ta）310mA（Ta）590mA（Ta）620mA（Ta）800mA（Ta）4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 4A，10V235 毫欧 @ 800mA，4.5V495 毫欧 @ 400mA，4.5V1 欧姆 @ 400mA，4.5V2 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V8 欧姆 @ 100mA，10V8 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（典型值）1V @ 1mA1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V1 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V1.54 nC @ 8 V1.6 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V30 pF @ 30 V36 pF @ 25 V50 pF @ 25 V54 pF @ 15 V55 pF @ 10 V73 pF @ 25 V80 pF @ 10 V954 pF @ 0 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）225mW225mW（Ta）240mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）370mW（Ta）460mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-523SSMTO-236AB
封装/外壳
SC-75，SOT-416SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,628,762
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39490
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
SOT-523
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
311,220
现货
891,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
590mA（Ta）
1.8V，4.5V
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
700mV @ 250µA（典型值）
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
107,223
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06406
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP31D1U-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,813
现货
156,000
工厂
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
620mA（Ta）
1.8V，4.5V
1 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.6 nC @ 8 V
±8V
54 pF @ 15 V
-
460mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
660,613
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30405
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
BSS84-TP
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
Micro Commercial Co
86,920
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Tj）
5V，10V
8 欧姆 @ 100mA，10V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 25 V
-
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002KQ-13
2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Diodes Incorporated
9,404
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.32141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MMFTP3401
MMFTP3401
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
Diotec Semiconductor
17,512
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43795
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
65 毫欧 @ 4A，10V
1.3V @ 250µA
-
±12V
954 pF @ 0 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
113,338
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26580
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。