单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Good-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)17A(Ta),71A(Tc)34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 35A,10V15 毫欧 @ 10A,10V21.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 53µA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 5 V20 nC @ 10 V40 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V4000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
4.2W(Tc)61W(Tc)65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-SOPLFPAK56,Power-SO8
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-100,SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y25-60E,115
MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
47,431
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.20861
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
5V
21.5 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 1mA
12 nC @ 5 V
±10V
1500 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
SSFQ3903
SSFQ4903
MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -40V
Good-Ark Semiconductor
8,365
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80341
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C670NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥5.97738
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),71A(Tc)
4.5V,10V
6.1 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 53µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
61W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。