单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）5A（Ta）35A（Ta），267A（Tc）56A（Tc）87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3.3V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 90A，10V9.3 毫欧 @ 44A，10V16 毫欧 @ 28A，10V48 毫欧 @ 5A，4.5V60 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.8V @ 250µA4V @ 650µA4.6V @ 107µA4.6V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4.5 V23.1 nC @ 10 V23.4 nC @ 4.5 V40.7 nC @ 10 V106 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
278 pF @ 15 V1550 pF @ 10 V1820 pF @ 75 V3230 pF @ 75 V7630 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）5.1W（Ta），291W（Tc）96W（Tc）139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-TDFNW（8.3x8.4）DFN2020MD-6PG-TDSON-8-7SOT-323
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
1,171
现货
1 : ¥27.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.77754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
87A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 44A，10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-323
DMN3061SWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
10,455
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.53037
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.7A（Ta）
3.3V，10V
60 毫欧 @ 3.1A，10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
2,788
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
4,000 : ¥10.36693
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
56A（Tc）
8V，10V
16 毫欧 @ 28A，10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-TDFNW AS Top
NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
onsemi
4,902
现货
1 : ¥53.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥25.81828
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Ta），267A（Tc）
-
1.7 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 650µA
106 nC @ 10 V
±20V
7630 pF @ 50 V
-
5.1W（Ta），291W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB43XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,623
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
1.8V，4.5V
48 毫欧 @ 5A，4.5V
900mV @ 250µA
23.4 nC @ 4.5 V
±12V
1550 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。