Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 53.04 CNY
Availability: InStock

NTMTSC1D6N10MCTXG
DigiKey 零件编号	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - 卷带（TR） 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - 剪切带（CT） 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTMTSC1D6N10MCTXG
描述	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 100 V 35A（Ta），267A（Tc） 5.1W（Ta），291W（Tc） 8-TDFNW（8.3x8.4）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTMTSC1D6N10MCTXG 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Ta），267A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.7 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 650µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	106 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7630 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5.1W（Ta），291W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	8-TDFNW（8.3x8.4）
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	NTMTSC1