单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Good-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.Wolfspeed, Inc.
系列
-C3M™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V50 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）850mA（Ta）36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V5V，10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
78 毫欧 @ 20A，15V400 毫欧 @ 500mA，4.5V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）2V @ 250µA3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 4.5 V30.4 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±8V+18V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 5 V83 pF @ 24 V660 pF @ 600 V
功率耗散（最大值）
225mW540mW（Ta）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23TO-236ABTO-247-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
35,662
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
C2D10120D
C3M0065090D
SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,487
现货
1 : ¥158.94000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
900 V
36A（Tc）
15V
78 毫欧 @ 20A，15V
3.5V @ 5mA
30.4 nC @ 15 V
+18V，-8V
660 pF @ 600 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GSFKW0202
BSS84
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Good-Ark Semiconductor
35,337
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21567
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V，10V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。