单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®STripFET™ IITrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）29A（Tc）34A（Tc）47A（Tc）49A（Tc）50A（Tc）58A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4V，5V4.5V，5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 25A，10V13 毫欧 @ 15A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V18 毫欧 @ 27.5A，10V22 毫欧 @ 25A，10V28 毫欧 @ 31A，5V37 毫欧 @ 20A，10V40 毫欧 @ 16A，10V63 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 5 V22.9 nC @ 10 V34 nC @ 10 V48 nC @ 5 V60 nC @ 5 V60 nC @ 10 V63 nC @ 10 V66 nC @ 5 V168 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 25 V1280 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V1730 pF @ 25 V3300 pF @ 25 V8000 pF @ 25 V8300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），150W（Tc）3.8W（Ta），110W（Tc）3.8W（Ta），68W（Tc）3.8W（Ta），94W（Tc）50W（Tc）96W（Tc）97W（Tc）110W（Tc）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKLPTSTO-263（D2PAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Infineon Technologies
4,669
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
800 : ¥6.72004
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
29A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Infineon Technologies
2,402
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
800 : ¥6.78940
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
47A（Tc）
4V，10V
22 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Infineon Technologies
20,161
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
800 : ¥4.82049
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PHB32N06LT,118
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,762
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
800 : ¥5.41631
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
34A（Tc）
4.5V，5V
37 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 1mA
17 nC @ 5 V
±15V
1280 pF @ 25 V
-
97W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LPTS
RSJ250P10TL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
1,060
现货
1 : ¥22.66000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.71203
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
4V，10V
63 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
60 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN004-60B,118
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
7,387
现货
1 : ¥22.74000
剪切带（CT）
800 : ¥13.74660
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
75A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
168 nC @ 10 V
±20V
8300 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
BUK7613-60E,118
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,800
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
800 : ¥7.15135
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
58A（Tc）
10V
13 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
22.9 nC @ 10 V
±20V
1730 pF @ 25 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IRLZ44SPBF
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Vishay Siliconix
814
现货
1 : ¥16.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4V，5V
28 毫欧 @ 31A，5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
3300 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB55NF06T4
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.71807
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 27.5A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。