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市场产品
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R057M1HXKSA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
原厂标准交货期 | 26 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 35A（Tc） 133W（Tc） PG-TO247-3-41 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R057M1HXKSA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 74 毫欧 @ 16.7A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 5mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +20V，-2V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 930 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 133W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO247-3-41 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥89.98000 | ¥89.98 |
| 30 | ¥71.85500 | ¥2,155.65 |
| 120 | ¥64.29033 | ¥7,714.84 |
| 510 | ¥56.72653 | ¥28,930.53 |
| 1,020 | ¥51.05387 | ¥52,074.95 |
制造商标准包装
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