单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-CoolMOS™ P7PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
60 V100 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）1.5A（Ta）2A（Ta）3.3A（Tc）4A4.6A（Tc）5.4A（Ta）5.6A（Tc）6A（Tc）6.5A（Tc）6.6A（Ta）6.6A（Tc）6.8A（Tc）7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 6.6A，10V34 毫欧 @ 6A，10V40 毫欧 @ 8.2A，10V60 毫欧 @ 6A，10V72 毫欧 @ 8A，10V90 毫欧 @ 3A，10V95 毫欧 @ 5A，10V100 毫欧 @ 3.3A，10V105 毫欧 @ 5A，10V160 毫欧 @ 2.8A，10V173 毫欧 @ 5A，10V250 毫欧 @ 1.5A，10V250 毫欧 @ 3.2A，10V385 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.77 nC @ 10 V4.4 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V13.1 nC @ 10 V20 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V24.2 nC @ 5 V25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
112 pF @ 50 V195 pF @ 50 V225 pF @ 50 V315 pF @ 50 V405 pF @ 50 V424 pF @ 400 V525 pF @ 30 V619 pF @ 25 V975 pF @ 25 V1143 pF @ 50 V1173 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1407 pF @ 40 V1480 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）770mW（Ta）1.25W1.38W（Ta）2W（Ta）2.2W（Ta）3.1W（Tc）5.4W（Tc）7.1W（Tc）7.8W（Tc）8W（Tc）9W（Tc）10.42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PG-SOT223SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-4
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
onsemi
18,421
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.12389
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.3A（Tc）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 3.3A，10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
FDT86102LZ
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
onsemi
6,573
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥7.83226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 6.6A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT223
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
2,961
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.22663
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
385 毫欧 @ 1.5A，10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
195 pF @ 50 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223
PMT560ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Nexperia USA Inc.
3,184
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
1,000 : ¥0.97656
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
715 毫欧 @ 1.1A，10V
2.7V @ 250µA
4.4 nC @ 10 V
±20V
112 pF @ 50 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
13,430
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.17903
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Tc）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
525 pF @ 30 V
-
7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
20,998
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
10V
250 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
975 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MCT03N06-TP
MCT04N10B-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-223
Micro Commercial Co
10,154
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.21817
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4A
4.5V，10V
105 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1143 pF @ 50 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223
BUK98180-100A/CUX
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
Nexperia USA Inc.
91,930
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.41110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
173 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 1mA
-
±10V
619 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
ZXMN10A08GTA
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Diodes Incorporated
15,968
现货
58,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.52312
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Ta）
6V，10V
250 毫欧 @ 3.2A，10V
2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 50 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
FDT1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
onsemi
8,853
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.37027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
5V，10V
160 毫欧 @ 2.8A，10V
2.8V @ 250µA
3.77 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 50 V
-
10.42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT223
BUK9875-100A/CUX
MOSFET N-CH 100V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
32,646
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.90159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Tc）
4.5V，10V
72 毫欧 @ 8A，10V
2V @ 1mA
-
±10V
1690 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
ZXMN6A09GTA
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Diodes Incorporated
4,991
现货
56,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.39578
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.4A（Ta）
10V
40 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
24.2 nC @ 5 V
±20V
1407 pF @ 40 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
GSFL7004
SSF6910
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 60V
Good-Ark Semiconductor
5,591
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98507
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.8A（Tc）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
5.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-261-4, TO-261AA
PJW7N06A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,965
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.43097
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.6A（Tc）
4.5V，10V
34 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1173 pF @ 25 V
-
3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
PG-SOT223
IPN70R450P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Infineon Technologies
677
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.89965
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
10A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 2.3A，10V
3.5V @ 120µA
13.1 nC @ 10 V
±16V
424 pF @ 400 V
-
7.1W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
100V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM950N10CW
100V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
查看交期
5,000 : ¥4.86800
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Tc）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。