单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-OptiMOS™SuperFET® IITrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.8A（Ta），46.9A（Tc）13A（Ta），40A（Tc）17A（Ta），46A（Tc）24A（Tc）30A（Tc）36A（Tc）42A（Tc）48A（Tc）50A（Tc）58A（Tc）60A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 90A，10V6.5 毫欧 @ 20A，10V8.5 毫欧 @ 16A，10V8.5 毫欧 @ 20A，10V11.5 毫欧 @ 10A，10V13 毫欧 @ 30A，10V15 毫欧 @ 30A，10V17 毫欧 @ 10A，10V18 毫欧 @ 20A，10V22 毫欧 @ 30A，10V23 毫欧 @ 12A，10V50 毫欧 @ 5.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 11µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18.77 nC @ 10 V20.1 nC @ 10 V22.5 nC @ 10 V36 nC @ 10 V40 nC @ 5 V68 nC @ 10 V95.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
584 pF @ 25 V864 pF @ 30 V951 pF @ 15 V957 pF @ 30 V1040 pF @ 15 V1143 pF @ 25 V1600 pF @ 30 V1700 pF @ 25 V1920 pF @ 30 V1950 pF @ 25 V2841 pF @ 30 V4556 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）2.1W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）3.2W（Ta）3.9W（Ta），180W（Tc）6.2W（Ta），60W（Tc）31W（Tc）34.7W（Tc）35W（Tc）36W（Tc）71W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PPAK（3.1x3.05）MLPAK33PG-TO252-3-311PowerDI5060-8TO-252TO-252-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252, (D-Pak)
AOD442G
MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
95,004
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29231
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
6.2W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
25,056
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52626
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 11µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
STD60NF55LAT4
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
STMicroelectronics
4,686
现货
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.18937
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
60A（Tc）
5V，10V
15 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
40 nC @ 5 V
±15V
1950 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMTH6016LK3-13
MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Diodes Incorporated
3,027
现货
35,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.33862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.8A（Ta），46.9A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD514
MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
14,794
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.39429
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17A（Ta），46A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power VDFN
PXN012-60QLJ
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
32,757
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.56569
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
18.77 nC @ 10 V
±20V
957 pF @ 30 V
-
34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
TO-252-2
DMTH6004SK3-13
MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Diodes Incorporated
1,480
现货
405,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.15130
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
3.8 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 250µA
95.4 nC @ 10 V
±20V
4556 pF @ 30 V
-
3.9W（Ta），180W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMPH4015SPSQ-13
DMNH6042SPS-13
MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
1,237
现货
50,000
工厂
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.92612
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
24A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 5.1A，10V
3V @ 250µA
8.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
GSFN3906
GSFN3908
MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 30V,
Good-Ark Semiconductor
5,940
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.28524
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
48A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 16A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PPAK（3.1x3.05）
8-PowerVDFN
25P06
G36N03K
N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Goford Semiconductor
2,490
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.34536
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
36A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
1040 pF @ 15 V
-
31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
25P06
G58N06K
N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Goford Semiconductor
2,321
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.00871
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
58A（Tc）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2841 pF @ 30 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMNH6021SK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
Diodes Incorporated
872
现货
1,067,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.64842
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
20.1 nC @ 10 V
±20V
1143 pF @ 25 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。