单 FET,MOSFET

结果 : 21
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedEPCMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-eGaN®TrenchFET®TrenchFET® Gen VTrenchMOS™U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V100 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)180mA(Ta)190mA(Ta),300mA(Tc)220mA(Ta)250mA(Ta)260mA(Ta)300mA(Ta)310mA(Ta)350mA(Ta)370mA380mA(Ta)400mA(Ta)480mA(Ta)1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,5V2.5V,10V2.5V,4.5V3.5V,10V4.5V,10V5V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 20A,10V52 毫欧 @ 4.2A,4.5V74 毫欧 @ 4.1A,10V90 毫欧 @ 1.5A,4.5V220 毫欧 @ 750mA,4.5V550 毫欧 @ 100mA,5V1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V1.5 欧姆 @ 300mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 50mA,5V2.4 欧姆 @ 300mA,10V2.5 欧姆 @ 240mA,10V2.8 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.12 nC @ 5 V0.34 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.4 nC @ 4.5 V0.43 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.68 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.81 nC @ 5 V0.87 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V1.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±8V±10V±12V+16V,-12V±20V±30V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14 pF @ 50 V20 pF @ 10 V22 pF @ 25 V23.2 pF @ 25 V24.5 pF @ 20 V26.7 pF @ 25 V27 pF @ 25 V28.5 pF @ 30 V36 pF @ 10 V36 pF @ 25 V40 pF @ 25 V45 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)260mW(Ta),830mW(Tc)265mW(Ta),1.33W(Tc)280mW(Tj)300mW(Ta)300mW(Tj)350mW(Ta)350mW(Ta),1.14W(Tc)370mW(Ta)400mW(Ta)440mW(Ta)500mW(Ta)1.4W(Ta)2W(Ta),3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOPCST3CPowerPAK® 1212-8SHSC-70-3(SOT323)SOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323TO-236AB模具
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SHSC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果

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/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,277
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.20992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta),300mA(Tc)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
438,578
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32434
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
447,661
现货
8,292,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32716
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
100,060
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
70,099
现货
10,420,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.41708
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
1.8V,5V
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
440mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
136,127
现货
2,670,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40486
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
52 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZVP4424GTA
MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223
Diodes Incorporated
4,748
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.85918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
480mA(Ta)
3.5V,10V
9 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
28,502
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.57657
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
1.7A(Ta)
5V
550 毫欧 @ 100mA,5V
2.5V @ 80µA
0.12 nC @ 5 V
+6V,-4V
14 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
370,788
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.23992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
19,677
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28770
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
663,548
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30406
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
180mA(Ta)
10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW(Ta),1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-7
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
38,011
现货
1,323,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31827
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
380mA(Ta)
2.5V,10V
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
634,510
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33879
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
239,840
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.34118
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3C
SC-101,SOT-883
SOT-323
DMP2165UW-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
Diodes Incorporated
21,568
现货
2,166,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
90 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
335 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT 23-3
NTR1P02LT1G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
onsemi
10,663
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61450
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.3A(Ta)
2.5V,4.5V
220 毫欧 @ 750mA,4.5V
1.25V @ 250µA
5.5 nC @ 4 V
±12V
225 pF @ 5 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5540
SI3457CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
33,740
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43343
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.1A(Tc)
4.5V,10V
74 毫欧 @ 4.1A,10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
2W(Ta),3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PowerPAK 1212-8SH
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Vishay Siliconix
4,283
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.14025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
47.1A(Ta),162A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
65 nC @ 10 V
+16V,-12V
2950 pF @ 15 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
SOT-23-3
DMP32D4S-13
MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
Diodes Incorporated
19,035
现货
210,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.49977
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4 欧姆 @ 300mA,10V
2.4V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
51.16 pF @ 15 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,907
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22873
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 323
BSS138BKW-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Micro Commercial Co
140
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30787
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
370mA
2.5V,10V
1.5 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
58 pF @ 30 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。