单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）220mA（Ta）260mA（Ta）5A（Tc）18A（Tc）20A（Ta）24A（Tc）60A（Ta）76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，8V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V7.3 毫欧 @ 10A，10V8.9 毫欧 @ 10A，4.5V10.2 毫欧 @ 8A，10V11 毫欧 @ 17A，10V24 毫欧 @ 4A，8V50 毫欧 @ 4.5A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.15V @ 250µA1.55V @ 250µA1.6V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V0.81 nC @ 5 V2.8 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V22.2 nC @ 10 V25 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V26.7 pF @ 25 V27 pF @ 25 V50 pF @ 25 V340 pF @ 12.5 V998 pF @ 15 V1480 pF @ 30 V1590 pF @ 15 V1790 pF @ 10 V1995 pF @ 15 V4420 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta），1.33W（Tc）300mW（Tj）350mW（Ta）370mW（Ta）2.3W（Ta）2.4W2.8W（Ta），108W（Tc）2.8W（Ta），69W（Tc）3.2W（Ta），29W（Tc）3.2W（Ta），37W（Tc）5W（Ta），28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-SON8-DFN-EP（3x3）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（3x3.3）PowerDI3333-8SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
6-SMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,277
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377,535
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
438,588
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32434
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
220,358
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.84721
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 17A，10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1995 pF @ 15 V
-
5W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
20,216
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32358
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5A（Tc）
3V，8V
24 毫欧 @ 4A，8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON
6-SMD，扁平引线
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
55,159
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27354
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
50,696
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
38,174
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.34437
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
10.2 毫欧 @ 8A，10V
1.9V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17578Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4,206
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
250 : ¥6.82992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN6069SFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Diodes Incorporated
2,945
现货
510,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.95393
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 30 V
-
2.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI3333-8
8-PowerVDFN
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,907
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。