单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ CETrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）2.6A（Tc）4A（Ta），11A（Tc）6.46A（Tc）17A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.9 毫欧 @ 20A，10V72 毫欧 @ 4A，10V155 毫欧 @ 3.5A，10V3.4 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3.5V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V15.5 nC @ 10 V37.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V93 pF @ 100 V100 pF @ 15 V590 pF @ 25 V2254 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）1.2W（Ta），50W（Tc）2W（Ta），15W（Tc）5W（Tc）13.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DFN2020MD-6PG-SOT223-3POWERDI3333-8PowerPAK®SC-70W-6SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
547,809
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-SOT223-3
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Infineon Technologies
18,927
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2.6A（Tc）
10V
3.4 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
5W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK-SC-70W-6L-Single_Top
SQA411CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
7,926
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34780
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.46A（Tc）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 25 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerPAK®SC-70W-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerDI3333-8
DMTH8008LFGQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Diodes Incorporated
3,690
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.38851
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17A（Ta），70A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
37.7 nC @ 10 V
±20V
2254 pF @ 40 V
-
1.2W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D72-30EX
MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Nexperia USA Inc.
11,489
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta），11A（Tc）
4.5V，10V
72 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
3.3 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 15 V
-
2W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。