单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-FRFET®, SuperFET® IIIPowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）130mA（Ta）154mA（Tj）200mA（Ta）270mA（Ta）360mA（Ta）1.7A（Ta）2.3A（Ta）2.9A（Tc）3.3A（Ta）4.3A（Ta）8A（Tc）20A（Tc）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V5V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 7.1A，10V31 毫欧 @ 7.9A，10V55 毫欧 @ 4.3A，10V85 毫欧 @ 1.9A，10V96 毫欧 @ 2A，10V125 毫欧 @ 2.3A，10V190 毫欧 @ 10A，10V216 毫欧 @ 2.2A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V7 欧姆 @ 154mA，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1mA2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V5 nC @ 5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V17.7 nC @ 10 V18 nC @ 10 V34 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V33 pF @ 5 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V73 pF @ 25 V195 pF @ 15 V350 pF @ 30 V555 pF @ 10 V637 pF @ 30 V650 pF @ 25 V1080 pF @ 30 V1610 pF @ 400 V2086 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）300mW（Tj）330mW（Ta）350mW（Ta）500mW（Ta）1.1W（Ta）1.6W（Ta）2W（Ta）3W（Tc）3.3W（Tc）45W（Tc）162W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOPPowerPAK® SO-8SC-70-3（SOT323）SC-75，SOT-416SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23-6LSOT-26SuperSOT™-6TO-220-3TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323SC-75，SOT-416SOT-23-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
439,085
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32700
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
192,666
现货
15,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46914
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
154mA（Tj）
2.5V，4.5V
7 欧姆 @ 154mA，4.5V
1.5V @ 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
367,910
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
82,961
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
108,675
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06410
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS355AN
MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
onsemi
15,389
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48480
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 1.9A，10V
2V @ 250µA
5 nC @ 5 V
±20V
195 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
onsemi
24,565
现货
87,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Ta）
6V，10V
55 毫欧 @ 4.3A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT 26
ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodes Incorporated
24,269
现货
354,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61750
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
125 毫欧 @ 2.3A，10V
1V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SC-70-3
NVS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
59,234
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
Pkg 5540
SI3459BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,405
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.48136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.9A（Tc）
4.5V，10V
216 毫欧 @ 2.2A，10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 30 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerPak SO-8L
SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,695
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28688
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 7.1A，10V
2.5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2086 pF @ 30 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220-3
NTP190N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
onsemi
774
现货
66,400
工厂
1 : ¥24.22000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
20A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 10A，10V
5V @ 430µA
34 nC @ 10 V
±30V
1610 pF @ 400 V
-
162W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
GSFR0603
GSFR0603
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Good-Ark Semiconductor
7,980
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88061
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.3A（Ta）
4.5V，10V
96 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
SOT-23-3
SQ2318AES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
22,535
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Tc）
4.5V，10V
31 毫欧 @ 7.9A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 10 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。