单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-AlphaSGT™aMOS5™HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5PowerTrench®QFET®StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
100 V150 V600 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)13A(Tc)19.4A(Ta),174A(Tc)20A(Ta),185A(Tc)20A(Tc)21A(Ta),190A(Tc)35A(Ta),267A(Tc)38A(Tc)38A(Tj)114A(Tc)120A(Tc)130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V8V,10V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 90A,10V2.4 毫欧 @ 100A,10V2.65 毫欧 @ 100A,10V3.9 毫欧 @ 50A,10V4,1毫欧 @ 104A,10V4.3 毫欧 @ 20A,10V4.4 毫欧 @ 50A,10V4.8 毫欧 @ 60A,10V5.9 毫欧 @ 120A,10V6 毫欧 @ 68A,10V6.3 毫欧 @ 80A,10V6.5 毫欧 @ 100A,10V7.2 毫欧 @ 70A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA3.7V @ 250µA3.8V @ 169µA3.8V @ 267µA4V @ 250µA4V @ 270µA4V @ 650µA4,5V @ 574µA4.6V @ 136µA4.6V @ 160µA4.6V @ 180µA4.6V @ 221µA4.6V @ 235µA4.6V @ 243µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.2 nC @ 10 V21 nC @ 18 V52 nC @ 10 V58 nC @ 10 V61 nC @ 10 V68 nC @ 10 V74 nC @ 10 V78 nC @ 10 V84 nC @ 10 V88.9 nC @ 10 V89 nC @ 10 V90 nC @ 10 V92 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V+25V,-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
195 pF @ 25 V600 pF @ 400 V760 pF @ 25 V4000 pF @ 75 V4010 pF @ 100 V4700 pF @ 75 V5300 pF @ 75 V5500 pF @ 75 V5805 pF @ 75 V6460 pF @ 75 V6500 pF @ 75 V7000 pF @ 75 V7285 pF @ 75 V7300 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Tc)3,7W(Ta),316W(Tc)3.8W(Ta),300W(Tc)3.8W(Ta),319W(Tc)5.1W(Ta),291W(Tc)41W(Tc)66W(Tc)76W(Tc)214W(Tc)250W(Tc)300W(Tc)320W(Tc)378W(Tc)429W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOF8-TDFNW(8.3x8.4)PG-HDSOP-16-2PG-HSOF-8PG-HSOG-8PG-TO263-3PG-TO263-3-2PG-TO263-7PG-TO263-7-14PG-TO263-7-3PG-TSON-8-3SOT-223-3TO-220FTO-247
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块TO-220-3 整包TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果

显示
/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
21,860
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.78090
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Tc)
10V
205 毫欧 @ 7.8A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
BSC0805LSATMA1
BSC074N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Infineon Technologies
3,641
现货
1 : ¥39.82000
剪切带(CT)
5,000 : ¥18.61061
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
114A(Tc)
8V,10V
7.4 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 136µA
52 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Infineon Technologies
2,416
现货
1 : ¥39.98000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.66137
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
114A(Tc)
8V,10V
7.3 毫欧 @ 57A,10V
4.6V @ 160µA
61 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
2,910
现货
1 : ¥42.69000
剪切带(CT)
800 : ¥25.79110
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
38A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 19A,10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 100 V
-
378W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
1,313
现货
1 : ¥53.94000
剪切带(CT)
2,000 : ¥28.68814
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
214A(Tc)
10V
4.3 毫欧 @ 20A,10V
3.7V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
TO-247-3 AD EP
FDH055N15A
MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
onsemi
7,326
现货
1 : ¥59.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
158A(Tc)
10V
5.9 毫欧 @ 120A,10V
4V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
9445 pF @ 75 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB048N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Infineon Technologies
1,788
现货
1 : ¥61.66000
剪切带(CT)
1,000 : ¥34.98148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
120A(Tc)
8V,10V
4.8 毫欧 @ 60A,10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
1,224
现货
1 : ¥30.38000
剪切带(CT)
800 : ¥18.35364
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
162A(Tc)
6V,10V
2.65 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 169µA
154 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-PowerDFN
FDBL0630N150
MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
onsemi
4,780
现货
1 : ¥48.03000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.38054
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
169A(Tc)
10V
6.3 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5805 pF @ 75 V
-
500W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-263-7, D2Pak
IPB065N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Infineon Technologies
3,612
现货
1 : ¥51.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥26.74689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
130A(Tc)
8V,10V
6.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
8-TDFNW AS Top
NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
onsemi
4,892
现货
1 : ¥53.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥25.81828
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
35A(Ta),267A(Tc)
-
1.7 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 650µA
106 nC @ 10 V
±20V
7630 pF @ 50 V
-
5.1W(Ta),291W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
8-TDFNW(8.3x8.4)
8-PowerTDFN
479
现货
1 : ¥53.36000
剪切带(CT)
1,800 : ¥30.26763
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
19.4A(Ta),174A(Tc)
8V,10V
4.4 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 235µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8
8-PowerSMD,鸥翼
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
onsemi
4,000
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.23672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
200mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 100mA,10V
5V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
924
现货
1 : ¥39.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
38A(Tj)
10V
95 毫欧 @ 19A,10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 100 V
-
41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
D2PAK-7pin
IPB060N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Infineon Technologies
1,564
现货
1 : ¥46.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥24.29314
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
136A(Tc)
8V,10V
6 毫欧 @ 68A,10V
4.6V @ 180µA
68 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 75 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
1,960
现货
1 : ¥50.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.81684
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
174A(Tc)
8V,10V
4.4 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 221µA
84 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
774
现货
1 : ¥30.13000
剪切带(CT)
800 : ¥14.08084
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
227A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 169µA
154 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263
NVBGS4D1N15MC
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
onsemi
374
现货
1 : ¥142.77000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
20A(Ta),185A(Tc)
8V,10V
4,1毫欧 @ 104A,10V
4,5V @ 574µA
88.9 nC @ 10 V
±20V
7285 pF @ 75 V
-
3,7W(Ta),316W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TW015N65C,S1F
TW107N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Toshiba Semiconductor and Storage
80
现货
1 : ¥82.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
20A(Tc)
18V
145 毫欧 @ 10A,18V
5V @ 1.2mA
21 nC @ 18 V
+25V,-10V
600 pF @ 400 V
-
76W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
11
现货
1 : ¥54.43000
剪切带(CT)
1,800 : ¥30.86207
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
19.4A(Ta),174A(Tc)
8V,10V
4.4 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 235µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥61.98000
剪切带(CT)
1,800 : ¥35.16059
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Ta),190A(Tc)
8V,10V
3.9 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),319W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥49.59000
剪切带(CT)
800 : ¥19.20171
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
274A(Tc)
6V,10V
1.6 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 267µA
241 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
GSFT06130
GSGT15140
MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Good-Ark Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥30.87000
剪切带(CT)
800 : ¥11.43719
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
140A(Tc)
10V
7.2 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 75 V
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320W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
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表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。