单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™FDmesh™ IIHEXFET®MDmesh™MDmesh™ IIMDmesh™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V200 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）10A（Tc）11A（Tc）18A（Tc）20A（Tc）29A（Tc）31A（Tc）33A（Tc）35A（Tc）42A（Tc）65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 46A，10V45 毫欧 @ 4.2A，4.5V63 毫欧 @ 21A，10V78 毫欧 @ 19.5A，10V98 毫欧 @ 16.5A，10V99 毫欧 @ 18A，10V100 毫欧 @ 11A，10V105 毫欧 @ 14.5A，10V165 毫欧 @ 10A，10V450 毫欧 @ 5.5A，10V450 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA3.5V @ 1.2mA4V @ 250µA4.9V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V60 nC @ 10 V80 nC @ 10 V91 nC @ 10 V98 nC @ 10 V155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
740 pF @ 15 V850 pF @ 50 V1000 pF @ 25 V1200 pF @ 50 V1800 pF @ 50 V2722 pF @ 100 V2800 pF @ 100 V3375 pF @ 100 V3454 pF @ 100 V4200 pF @ 100 V4600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）90W（Tc）100W（Tc）140W（Tc）160W（Tc）210W（Tc）250W（Tc）255W（Tc）278W（Tc）330W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-TO220-3TO-220TO-220ABTO-247-3
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
90,375
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10821
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Infineon Technologies
4,993
现货
1 : ¥26.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
65A（Tc）
10V
24 毫欧 @ 46A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
797
现货
1 : ¥62.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 19.5A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STMicroelectronics
1,460
现货
1 : ¥66.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 19.5A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 100 V
-
210W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
17,015
现货
1 : ¥10.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 11A，10V
4.9V @ 100µA
29 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 50 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
STMicroelectronics
179
现货
1 : ¥59.19000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tc）
10V
165 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
140W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
IPP60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Infineon Technologies
1,038
现货
1 : ¥66.99000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
31A（Tc）
10V
99 毫欧 @ 18A，10V
3.5V @ 1.2mA
80 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 100 V
-
255W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
STMicroelectronics
536
现货
1 : ¥83.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
29A（Tc）
10V
105 毫欧 @ 14.5A，10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±25V
2722 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
STP11NM60
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
STMicroelectronics
275
现货
1 : ¥33.50000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
11A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 5.5A，10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
1000 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
SIHP33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Vishay Siliconix
1,000
现货
1 : ¥35.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
33A（Tc）
10V
98 毫欧 @ 16.5A，10V
4V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±30V
3454 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
STMicroelectronics
1,999
现货
1 : ¥89.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
42A（Tc）
10V
63 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
50 : ¥26.75900
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 5A，10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
850 pF @ 50 V
-
90W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。