单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
EHEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）5.8A（Ta）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 5.8A，10V64 毫欧 @ 3.6A，10V99 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 10µA2.4V @ 10µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
388 pF @ 25 V430 pF @ 10 V3508 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）1.3W（Ta）278W（Tc）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
31,578
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 5.8A，10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
90,595
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93953
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
64 毫欧 @ 3.6A，10V
2.4V @ 10µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
388 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263AB
SIHB33N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥48.77000
剪切带（CT）
800 : ¥29.45288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
33A（Tc）
10V
99 毫欧 @ 16.5A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
3508 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。